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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种比特交错结构下可消除半选择干扰的超低电压SRAM单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116312691B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211671185.X，技术领域涉及：G11C11/419；该发明授权一种比特交错结构下可消除半选择干扰的超低电压SRAM单元是由李怡霏;陈剑;哈亚军;陈宏宇设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种比特交错结构下可消除半选择干扰的超低电压SRAM单元在说明书摘要公布了：本发明的技术方案是提供了一种比特交错结构下可消除半选择干扰的超低电压SRAM单元，其特征在于，包括一组反相器环，两个N型写晶体管NM1、NM2，两个P型写晶体管PM1、PM2和两个N型晶体管NM3、NM4组成的读出路径。本发明可以被应用于超低电压有存储需求的应用中，特别是一些对于低电压下SRAM访存速度及可靠性有一定需求的应用，相比其他不同SRAM单元，在能耗相差不大的情况下，本发明可以实现更高的读写工作频率。

本发明授权一种比特交错结构下可消除半选择干扰的超低电压SRAM单元在权利要求书中公布了：1.一种比特交错结构下可消除半选择干扰的超低电压SRAM单元，其特征在于，包括一组反相器环，两个N型写晶体管NM1、NM2，两个P型写晶体管PM1、PM2和两个N型晶体管NM3、NM4组成的读出路径； 两个N型写晶体管NM1、NM2分别由写字线WWLNB、WWLN控制，使两个N型写晶体管NM1、NM2中的一个与一个共享的PMOS标尾构成一个串联的PMOS对； 两个P型写晶体管PM1、PM2分别由写字线WWLPB、WWLP控制，使两个P型写晶体管PM1、PM2中的一个与一个共享的NMOS标头构成一个串联的NMOS对； NMOS标尾及PMOS标头分别被行共享信号WLPC和WLNC所控制，接入V_GND及V_VDD； N型写晶体管NM1以及P型写晶体管PM1通过端点QB连接反相器环的一端，N型写晶体管NM2以及P型写晶体管PM2通过端点Q连接反相器环的另一端；端点Q和读字线RWL共同决定读出路径所引出的读端口RBL的数据； 在写状态下：数字1通过串联的PMOS对被直接写入端点Q，并通过串联的NMOS对以及反相器环使得数字0被写入端点QB；数字1通过串联的PMOS对被直接写入端点QB，并通过串联的NMOS对以及反相器环使得数字0被写入端点Q； 在读状态下，利用读字线RWL将存储于端点Q的数字经由读出路径读出至读端口RBL。

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