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龙图腾网获悉恒泰柯半导体(上海)有限公司申请的专利一种沟槽型碳化硅MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832058B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211615689.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种沟槽型碳化硅MOSFET器件是由罗志云;潘梦渝;王飞设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽型碳化硅MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件。器件包括沟槽区底部的重掺杂第二导电类型异质材料区以及沟槽区与第一导电类型半导体漂移区之间的重掺杂第二导电类型半导体屏蔽层和轻掺杂第一导电类型半导体区；重掺杂第二导电类型异质材料区位于沟槽区底部并与重掺杂第二导电类型半导体屏蔽层和轻掺杂第一导电类型半导体区接触；轻掺杂第一导电类型半导体区的侧壁与重掺杂第二导电类型半导体屏蔽层接触。采用上述方案，能够实现器件的低压导通，降低导通损耗，提升击穿电压，减小反向漏电；另外也可优化雪崩路径，提高器件的雪崩耐量，提升器件可靠性；同时还提升了器件的第三象限导通性能和可靠性。

本发明授权一种沟槽型碳化硅MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括： 由下至上层叠设置的金属化漏极2、重掺杂第一导电类型半导体衬底1、轻掺杂第一导电类型半导体漂移区3以及金属化源极4；所述轻掺杂第一导电类型半导体漂移区3和所述金属化源极4之间还包括第一导电类型半导体电流扩展区5、第二导电类型半导体体区6、重掺杂第二导电类型半导体接触区7和重掺杂第一导电类型半导体源区8；所述第一导电类型半导体电流扩展区5与所述轻掺杂第一导电类型半导体漂移区3接触，所述重掺杂第二导电类型半导体接触区7和重掺杂第一导电类型半导体源区8均与所述金属化源极4欧姆接触； 所述沟槽型碳化硅MOSFET器件还包括沟槽区9，所述沟槽区9由所述重掺杂第一导电类型半导体源区8朝向所述金属化源极4的一侧表面向下延伸至所述第一导电类型半导体电流扩展区5；所述沟槽区9的部分侧壁设置有栅介质层10，所述栅介质层10分别与所述重掺杂第一导电类型半导体源区8、所述第二导电类型半导体体区6和部分所述第一导电类型半导体电流扩展区5接触； 所述沟槽区9与所述第一导电类型半导体漂移区3之间还设置有重掺杂第二导电类型半导体屏蔽层11和轻掺杂第一导电类型半导体区12；所述沟槽区9内部设置有相互绝缘的重掺杂第二导电类型异质材料区13和重掺杂第一导电类型多晶硅栅电极区14；所述重掺杂第二导电类型异质材料区13与所述金属化源极4电性连接，所述重掺杂第二导电类型异质材料区13位于所述沟槽区9底部并与所述重掺杂第二导电类型半导体屏蔽层11和轻掺杂第一导电类型半导体区12接触；所述轻掺杂第一导电类型半导体区12的侧壁与所述重掺杂第二导电类型半导体屏蔽层11接触；其中，形成所述重掺杂第二导电类型异质材料区13的异质材料的禁带宽度小于碳化硅的禁带宽度。

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