南瑞联研半导体有限责任公司王豹子获国家专利权
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龙图腾网获悉南瑞联研半导体有限责任公司申请的专利一种压接式IGBT模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211488224.2，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权一种压接式IGBT模块是由王豹子;牟哲仪;王立;谢龙飞;姚晨阳设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压接式IGBT模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种压接式IGBT模块，本发明在发射极电极和集电极电极之间的内腔内设置导电液结构体，在任一芯片失效时，芯片失效点与失效芯片的上钼片产生烧穿壳体的电弧，导电液从烧穿处流出，覆盖内腔内所有芯片及芯片周边空间，从而短接覆盖的导电结构，实现发射极电极和集电极电极的良好稳固性短路，使压接式IGBT模块具有稳定的长期短路失效功能。
本发明授权一种压接式IGBT模块在权利要求书中公布了：1.一种压接式IGBT模块，其特征在于，包括相对设置的发射极电极和集电极电极，发射极电极和集电极电极之间的内腔内设置有导电液结构体和若干芯片结构，芯片结构包括依次堆叠的施压导电结构、上钼片、芯片和下钼片，施压导电结构的上端连接发射极电极，下钼片的底面连接集电极电极，导电液结构体包括壳体和包覆在壳体内的导电液；任一芯片失效时，芯片失效点和失效芯片的上钼片产生烧穿壳体的电弧，导电液从烧穿处流出，覆盖内腔内所有芯片及芯片周边空间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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