拓荆科技股份有限公司林蓬涛获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技股份有限公司申请的专利喷淋板、半导体器件的加工设备以及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115852337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211494385.2，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权喷淋板、半导体器件的加工设备以及方法是由林蓬涛;李晶;野沢俊久设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本喷淋板、半导体器件的加工设备以及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种喷淋板、一种半导体器件的加工设备以及一种半导体器件的加工方法。所述喷淋板包括：顶板，设于所述喷淋板的顶部，其中心区域设有第一进气口，用于获取反应气体；喷淋头，设于所述喷淋板的底部，配合所述顶板形成混气腔，并经由设于所述喷淋头底部的多个出气孔，向下方的反应腔输出反应气体；以及限流环，设于所述喷淋板的中心区域与边缘区域之间，占据所述混气腔的部分高度，用于降低所述反应气体从所述中心区域向所述边缘区域的扩散流速。
本发明授权喷淋板、半导体器件的加工设备以及方法在权利要求书中公布了：1.一种喷淋板，其特征在于，包括： 顶板，设于所述喷淋板的顶部，其中心区域设有第一进气口，用于获取反应气体，其边缘区域还设有第二进气口，用于向所述边缘区域输入稀释气体，以降低所述喷淋板下方的晶圆的边缘区域的薄膜沉积速率； 喷淋头，设于所述喷淋板的底部，配合所述顶板形成混气腔，并经由设于所述喷淋头底部的多个出气孔，向下方的反应腔输出反应气体；以及 限流环，设于所述喷淋板的中心区域与边缘区域之间，占据所述混气腔的部分高度，用于降低所述反应气体从所述中心区域向所述边缘区域的扩散流速，其中，当所述边缘区域的沉积速率大于所述边缘区域的目标沉积速率，所述限流环与喷淋板的边缘之间的第一距离减小且所述第二进气口与所述边缘之间的第二距离增大，以减小所述边缘区域的沉积速率，当所述边缘区域的沉积速率小于所述边缘区域的目标沉积速率，所述限流环与喷淋板的边缘之间的第一距离增大且所述第二进气口与所述边缘之间的第二距离减小，以增大所述边缘区域的沉积速率。
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