电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司唐晓莉获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司申请的专利一种基于垂直交换偏置的自旋逻辑器件及其调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115802867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211483598.5，技术领域涉及：H10N50/80；该发明授权一种基于垂直交换偏置的自旋逻辑器件及其调控方法是由唐晓莉;施国鹏;郭磊;姜杰设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于垂直交换偏置的自旋逻辑器件及其调控方法在说明书摘要公布了：本发明属于磁性器件领域，具体为一种基于垂直交换偏置的自旋逻辑器件及其调控方法。本发明采用铁磁反铁磁双层垂直交换偏置结构制备自旋逻辑器件，利用自旋轨道矩效应，通过输入电流在重金属层中产生自旋极化流，从而调制铁磁层反铁磁双层膜中交换偏置场，通过结构中反常霍尔电压的测试，且配合沿单元长轴方向自旋轨道矩注入电流大小的改变，实现与门、与非门、或门、或非门、非门逻辑。本发明不但实现基于反铁磁材料的新型自旋逻辑器件，且具有更强的抗外磁场干扰能力、开关电流密度低、结构简单、与MRAM工艺兼容等优点。
本发明授权一种基于垂直交换偏置的自旋逻辑器件及其调控方法在权利要求书中公布了：1.一种基于垂直交换偏置的自旋逻辑器件，其特征在于：结构从下至上依次为：注入极化流层铁磁层反铁磁层覆盖层，自旋逻辑单元为双层的铁磁层反铁磁层的磁性薄膜，且磁性薄膜的磁矩沿面外方向取向； 所述注入极化流层为十字形的薄膜，采用具有自旋轨道耦合作用的重金属材料，其厚度＜所用注入极化流层材料的自旋扩散长度； 以注入极化流层十字型的中心点为坐标系的原点，垂直于薄膜表面的方向为Z轴正方向，十字型两条互相垂直的边分别作为X轴和Y轴；在X轴的负方向设有两个电流脉冲的输入端A和B，在X轴的正方向设有输出端，电流从X轴负方向到X轴正方向流动；注入极化流层的Y轴正负方向分别设有反常霍尔电压的正负测试点； 所述磁性薄膜以其物理中心与注入极化流层的原点重叠的方式设置于X轴上，且磁性薄膜的长轴方向即X轴方向，短轴方向即Y轴方向；磁性薄膜的宽度与注入极化流层X轴的宽度一致，注入极化流层Y轴的宽度≤其长度≤注入极化流层X轴的长度； 所述覆盖层以完全覆盖的方式设置于磁性薄膜上。
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