山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司陈国强获国家专利权
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龙图腾网获悉山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请的专利一种提高晶圆图案套刻精度的量测方法、系统及终端获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115692234B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211447017.2,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权一种提高晶圆图案套刻精度的量测方法、系统及终端是由陈国强;沈力;姚香君;夏丽煖;烟晓凤;姜宝来;覃耀;张楠;张世凯设计研发完成,并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高晶圆图案套刻精度的量测方法、系统及终端在说明书摘要公布了:本申请公开了一种提高晶圆图案套刻精度的量测方法、系统及终端,该方法包括:定义芯片中包括多种光刻胶;对涂覆有任一光刻胶的晶圆进行原子层沉积和CD‑SEM测量,获取参考线宽;对涂覆有光刻胶的另一晶圆进行CD‑SEM测量,通过调整量测参数,使任一光刻胶的实际线宽相比于参考线宽的收缩尺寸为1‑3nm;记录与任一光刻胶相匹配的量测参数;汇总芯片中每种光刻胶所匹配的量测参数构建量测参数数据库;根据量测参数数据库进行光刻胶图案测量。该系统包括:定义模块、参考线宽获取模块、收缩尺寸限定模块、量测参数记录模块、量测参数数据库构建模块以及光刻胶图案测量模块。通过本申请,能够消除相邻层的光刻胶之间由于CD‑SEM量测所导致的误差,从而大大提高套刻精度。
本发明授权一种提高晶圆图案套刻精度的量测方法、系统及终端在权利要求书中公布了:1.一种提高晶圆图案套刻精度的量测方法,其特征在于,所述方法包括: 定义芯片中包括多种光刻胶; 对涂覆有任一光刻胶的晶圆进行原子层沉积和CD-SEM测量,获取所述任一光刻胶的参考线宽; 对涂覆有所述任一光刻胶的另一晶圆进行CD-SEM测量,通过调整量测参数,使所述任一光刻胶的实际线宽相比于所述参考线宽的收缩尺寸为1-3nm,所述量测参数包括:加速电压和电子束密度; 记录与所述任一光刻胶相匹配的量测参数; 汇总所述芯片中每种光刻胶所匹配的量测参数,构建量测参数数据库; 根据所述量测参数数据库进行光刻胶图案测量。
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