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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路及补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115798532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211418384.X，技术领域涉及：G11C7/18；该发明授权一种位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路及补偿方法是由胡薇;赵梦怡;彭春雨;卢文娟;戴成虎;郝礼才;吴秀龙设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路及补偿方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路及补偿方法。该位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路包括由多个SRAM单元组成的存储阵列以及补偿模块；每列SRAM单元共享位线且构成一个基本的存储模块；补偿模块包括8个PMOS管P0～P7和2个补偿电容C1、C2；P0、P1、P2、P3的漏极作为补偿模块的四个输入端与存储模块的四条位线相接；C1、C2的上极板连接端out、outb作为存储模块执行正常读写操作时的结果输出端；C1、C2的下极板连接端bout、boutb作为存储模块执行BCAM寻址操作时的结果输出端。本发明涉及的补偿模块能够减少因漏电流存在而导致寻址或读取错误的情况。

本发明授权一种位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路及补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路，其特征在于，其包括由多个SRAM单元组成的存储阵列以及补偿模块；每列SRAM单元共享位线且构成一个基本的存储模块，所述补偿模块用于补偿所述存储模块的位线泄漏电流；所述补偿模块包括8个PMOS管P0~P7和2个补偿电容C1、C2； C1的上极板与P0、P6的漏极连接，下极板与P4、P2的漏极连接；C2的上极板与P1、P7的漏极连接，下极板与P5、P3的漏极连接；P4~P7的源极接电源VDD；P0~P3的栅极受控制信号V1控制，P4、P5的栅极受控制信号V2控制，P6、P7的栅极受控制信号M1控制；P0、P1的漏极作为补偿模块的其中两个输入端；P2、P3的漏极作为补偿模块的另外两个输入端，分别接所述存储模块两侧的位线BL、BLB、BL1、BLB1； 其中，C1、C2的上极板连接端out、outb作为所述存储模块执行正常读写操作时经过泄漏补偿后的输出端；C1、C2的下极板连接端bout、boutb作为所述存储模块执行BCAM寻址操作时经过泄漏补偿后的输出端。

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