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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利利用端口加载效应的半导体射频单刀双掷开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642909B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211345480.6，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权利用端口加载效应的半导体射频单刀双掷开关是由沈光煦;马海涛设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用端口加载效应的半导体射频单刀双掷开关在说明书摘要公布了：本发明公开利用端口加载效应的半导体射频单刀双掷开关，属于基本电子电路的技术领域。该半导体射频单刀双掷开关包括：第一射频端口、第二射频端口、第三射频端口、第一开关臂、第二开关臂，摒弃采用长度为λ4的传输线避免两个开关臂之间相互影响的方案，利用断开开关臂的加载效应与增加的短路电容形成谐振回路，通过在每个开关臂中增加晶体管与补偿电感形成的谐振单元，并通过级间耦合电感连接各谐振单元，改善处于导通状态下开关臂的回波损耗，将回波损耗提高至20dB以上，通过增加晶体管数量的方式在传输通带内增加传输极点，实现宽带高隔离特性。

本发明授权利用端口加载效应的半导体射频单刀双掷开关在权利要求书中公布了：1.利用端口加载效应的半导体射频单刀双掷开关，其特征在于，包括： 第一射频端口，与输入匹配电路的一端连接，输入匹配电路的另一端与短路电容的一极连接，短路电容的另一极接地； 第一开关臂，包括第一耦合输入电感、N个谐振单元、第1至第N-1级间耦合电感、第一输出匹配电路，第一耦合输入电感的一端作为第一开关臂的输入端与输入匹配电路和短路电容的连接点相连，第i个谐振单元包括第i晶体管、至少一个补偿电感串接形成的第i谐振单元电感，第i晶体管的漏极接地，第i晶体管的源极与第i谐振单元电感的一端电连接，第i谐振单元电感的另一端接地，第i晶体管的栅极接第i直流端口，第i级间匹配电感的一端与第i晶体管源极和第i谐振单元电感的连接点或第i谐振单元电感中相邻补偿电感的连接点相连，第i级间匹配电感的另一端与第i+1晶体管源极和第i+1谐振单元电感的连接点或第i+1谐振单元电感中相邻补偿电感的连接点相连，第一耦合输入电感的另一端连接第一晶体管的源极，第一输出匹配电路的一端与第N晶体管源极和第N谐振单元电感的连接点或第N谐振单元电感中相邻补偿电感的连接点相连，第一输出匹配电路的另一端为第一开关臂的输出端，第1至第N直流端口接高电平或低电平，1≤i≤N，N为大于1的整数； 第二开关臂，包括第二耦合输入电感、第N+1至第N+M谐振单元、第N至第N+M-1级间耦合电感、第二输出匹配电路，第二耦合输入电感的一端作为第二开关臂的输入端与输入匹配电路和短路电容的连接点相连，第j谐振单元的电路结构与第i谐振单元相同，第j谐振单元中的第j晶体管的栅极接第j直流端口，第j级间匹配电感的一端与第j晶体管源极和第j谐振单元电感的连接点或第j谐振单元电感中相邻补偿电感的连接点相连，第j级间匹配电感的另一端与第j+1晶体管源极和第j+1谐振单元电感的连接点或第j+1谐振单元电感中相邻补偿电感的连接点相连，第二耦合输入电感的另一端连接第N+1晶体管的源极，第二输出匹配电路的一端与第N+M晶体管源极和第N+M谐振单元电感的连接点或第N+M谐振单元电感中补偿电感的连接点电连接，第二输出匹配电路的另一端为第二开关臂的输出端，第N+1至第N+M直流端口接入的逻辑电平与接入第1至第N直流端口的逻辑电平相反，N+1≤j≤N+M，M为大于1的整数； 第二射频端口，与第一开关臂的输出端连接；及， 第三射频端口，与第二开关臂的输出端连接。

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