北京大学彭超获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种基于单向辐射共振态的强度平坦的相移器及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115639630B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211336224.0，技术领域涉及：G02B1/00；该发明授权一种基于单向辐射共振态的强度平坦的相移器及其应用是由彭超;张子璇设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于单向辐射共振态的强度平坦的相移器及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于单向辐射共振态的强度平坦的相移器及其应用，属于光电子、光通信、无线通信领域，包括上介质层、下介质层以及位于所述上介质层和下介质层中间的光子晶体层；所述光子晶体层含有沿一维或二维方向周期性排列的孔槽；光子晶体层结构具有拓扑保护特性，形成共振腔；经过所述光子晶体层的光受拓扑保护，在所述共振腔产生多个共振态，并向所述光子晶体层的上表面辐射到所述上介质层，以及向所述光子晶体层的下表面辐射到所述下介质层，其中波矢为k的共振态具有单向辐射的特性，仅向所述光子晶体层的上表面或下表面辐射。本相移器运用高度定向辐射共振态，实现相位调制并保持强度响应平坦。
本发明授权一种基于单向辐射共振态的强度平坦的相移器及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于单向辐射共振态的强度平坦的相移器，其特征在于，包括上介质层、下介质层以及位于所述上介质层和下介质层中间的光子晶体层；所述光子晶体层含有沿一维或二维方向周期性排列的孔槽；光子晶体层结构具有拓扑保护特性，形成共振腔；经过所述光子晶体层的光受拓扑保护，在所述共振腔产生多个共振态，并向所述光子晶体层的上表面辐射到所述上介质层，以及向所述光子晶体层的下表面辐射到所述下介质层，其中波矢为k的共振态具有单向辐射的特性，在光子晶体层的上表面和下表面具有不对称辐射比，仅向所述光子晶体层的上表面或下表面辐射，通过改变光子晶体层的厚度、周期、占空比以及孔槽的形状以调节共振态向上表面和下表面的辐射比。
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