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龙图腾网获悉山东华芯半导体有限公司申请的专利一种针对未一次性写满的Block选取最优读电压轴的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115631781B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211276669.4，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权一种针对未一次性写满的Block选取最优读电压轴的方法是由蒋书斌;曹成;沈力设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种针对未一次性写满的Block选取最优读电压轴的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种针对未一次性写满的Block选取最优读电压轴的方法，减少了Block读取错误数。包括确定SSD的基本参数；根据磨损程度的不同对Block进行一次分组，再根据一级分组结果，按照SSD工作温度范围进行二次分组；将每个Block根据最长间隔写入时间分批次写入，写入后根据读取刷新时间进行刷新；将写满的Block，以写满时的时间开始计时，一定时间，选取对应的读取电压轴读取Block；再使用厂商给出的其他读取电压轴读取Block，并进行比较，若使用每个Block使用的不同磨损程度和不同保存时间选取对应的读取电压轴读取Block满足纠错要求，则使用原读取电压轴；若不能，则筛选出一组其他读取电压轴读取Block。本申请提高了对一次性未写满Block数据读取的准确性，减少错误数。

本发明授权一种针对未一次性写满的Block选取最优读电压轴的方法在权利要求书中公布了：1.一种针对未一次性写满的Block选取最优读电压轴的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：确定SSD的NANDFlash工作温度范围、读取刷新时间、不同磨损程度和不同保存时间下的读取电压轴、最长间隔写入时间以及最长写满的时间； 步骤2：根据磨损程度的不同对Block进行一次分组得到i个一级分组； 步骤3：再根据一级分组结果，依据NANDFlash工作温度范围进行二次分组，每个一级分组再分为j个二级分组； 步骤4：将每个Block根据最长间隔写入时间分批次写入，并保证总的写入时间不超过最长写满的时间；每次写入前都使用正常电压轴或原电压轴读取一次Block的存储内容；每次写入后，根据读取刷新时间进行刷新； 步骤5：将写满的Block，以写满时的时间开始计时，经过人为设定的保存时间，根据每个Block使用的不同磨损程度和不同保存时间选取对应的读取电压轴读取Block；再使用厂商给出的其他读取电压轴读取Block； 步骤6：比较步骤5使用的读取电压轴所读取的数值与写入的数据，若使用每个Block使用的不同磨损程度和不同保存时间选取对应的读取电压轴读取Block满足纠错要求，则使用原读取电压轴；若不能，则筛选出一组其他读取电压轴读取Block； 步骤7：若筛选不到，则降低最长间隔写入时间以及最长填满的时间，并重复步骤2至6。

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