北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司刘洪刚获国家专利权
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龙图腾网获悉北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司申请的专利碳纳米管射频场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211176690.7，技术领域涉及：H10K19/10；该发明授权碳纳米管射频场效应晶体管及其制备方法是由刘洪刚;夏庆贞;翟明龙;张志勇;彭练矛设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳纳米管射频场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种碳纳米管射频场效应晶体管及其制备方法。本公开实施例的碳纳米管射频场效应晶体管包括：衬底、绝缘介质层、碳纳米管有源层、源端接触层、源端导电层、漏端接触层、栅介质层、T型金属栅、背面通孔和背面金属层。本公开实施例的碳纳米管射频场效应晶体管具有较小的寄生电感、较小的栅电阻和较小的衬底寄生电容，可适用于诸如微波毫米波等射频应用领域。
本发明授权碳纳米管射频场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳纳米管射频场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 绝缘介质层，设置于所述衬底的第一侧； 碳纳米管有源层，设置于所述绝缘介质层之上且作为所述碳纳米管射频场效应晶体管的沟道层； 源端接触层，设置在所述碳纳米管有源层上的两端区域； 源端导电层，设置所述源端接触层之上； 漏端接触层，设置在所述碳纳米管有源层上的中间区域并与所述源端接触层隔开； 栅介质层，设置在所述碳纳米管有源层上且位于所述源端接触层与所述漏端接触层之间的区域； T型金属栅，设置在源端接触层与漏端接触层之间的区域且栅脚设置在所述栅介质层之上； 背面通孔，设置在所述碳纳米管有源层的两端区域，内表面覆盖有金属导电层，顶部与所述源端接触层相连，侧面向下延伸依次穿过所述碳纳米管有源层、绝缘介质层和所述衬底； 背面金属层，设置在所述衬底的第二侧，通过所述背面通孔连接至所述源端接触层以形成所述碳纳米管射频场效应晶体管的地平面，所述第二侧与所述第一侧相对。
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