重庆理工大学王涛获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆理工大学申请的专利一种新型半桥单元及其控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115441730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211144750.7,技术领域涉及:H02M3/156;该发明授权一种新型半桥单元及其控制方法是由王涛;陈剑锋;余佳颖;陈相潜设计研发完成,并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型半桥单元及其控制方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种新型半桥单元及其控制方法,属于电力电子变换器领域。该新型半桥单元包括两个相互电性连接的可控开关单元,每个可控开关单元均由不少于两个的可控开关管并联构成。该新型半桥单元在每个开关周期内,两个可控开关单元交替导通,其内的可控开关管也随之交替导通。本发明通过新型半桥单元的交替导通方式,可使变换器的等效输出开关频率增加,减小了无源器件的体积,降低了开关管结温,提高了功率密度。
本发明授权一种新型半桥单元及其控制方法在权利要求书中公布了:1.一种新型半桥单元,其特征在于:包括相互电性连接的第一可控开关单元和第二可控开关单元;所述第一可控开关单元包括可控开关管Q1~Qn,Q1~Qn呈并联连接;所述第二可控开关单元包括可控开关管呈并联连接;其中n≥2;各所述可控开关管的栅极单独接入控制信号; 在每个开关周期内,所述第一可控开关单元与第二可控开关单元交替导通;所述第一可控开关单元或第二可控开关单元导通时,只导通其内的一个可控开关管,且可控开关管Q1~Qn以及交替导通,相位相差π,如下式所示: 式中,1表示可控开关管导通,0表示可控开关管关断; 所述可控开关管为MOSFET或IGBT。
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