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龙图腾网获悉电子科技大学;华润微电子(重庆)有限公司申请的专利限制安全工作区的超结MOSFET SPICE模型建立方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115544927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211136754.0，技术领域涉及：G06F30/3323；该发明授权限制安全工作区的超结MOSFET SPICE模型建立方法是由任敏;雷清滢;李东野;马荣耀;唐开锋;丁继;李泽宏;张波设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本限制安全工作区的超结MOSFET SPICE模型建立方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有安全工作区SOA限制的超结MOSFETSPICE模型建立方法，应用于电子元器件建模领域。常用功率MOSFETSPICE模型仅用反偏二极管实现对定值击穿的模拟，以限制器件的工作范围；本发明基于超结MOSFET特有的叠加电场模型，提出了一种可模拟击穿与热失效的超结MOSFETSPICE模型，可辅助确认超结MOSFET器件是否在SOA范围内工作；同时可模拟近SOA边界的器件雪崩与短路特性，以适应极端电应力条件下的超结MOSFET模型验证与应用电路仿真。

本发明授权限制安全工作区的超结MOSFET SPICE模型建立方法在权利要求书中公布了：1.一种限制安全工作区的超结MOSFETSPICE模型建立方法，其特征在于包括如下步骤： S1、取待进行SPICE模型开发的超结MOSFET器件产品，通过测试及查阅产品手册分别确认器件在一定环境温度及脉冲宽度的工作条件下的绝对最大额定值，包括最大漏极-源极间电压、封装决定的最大电流能力、最大工作结温；并获取器件的输出特性、第三象限导通特性、电容特性及等效热网络； S2、根据直流及电容测试数据，反向提取超结MOSFET元胞结构及工艺参数； S3、依据超结MOSFET电荷及电场叠加模型，分别建立一次击穿电压、二次击穿电压随漏源电流变化关系的计算模型，以及两次击穿的电压区间内漏极电流随漏源极间电压变化关系的计算模型； S4、以超结MOSFET的物理击穿模型为基础，建立限制安全工作区SOA的超结MOSFET等效电路模型，其中以直流导通支路或现有常规超结MOSFET等效电路为核心，在外围设计具有安全工作区SOA限制能力的电路拓扑，包括一次击穿电流与限制支路、二次击穿限制支路及功率限制支路；建立耦合热网络电路及判定电路； S5、由步骤S1的数据及步骤S3的模型计算结果分别确定直流导通支路、一次击穿电流支路、最大漏源极间电压限制支路、二次击穿限制支路、功率限制支路、判定电路及等效热网络的电路参数； S6、确定SPICE模型中需使用的元件、函数和模型参数，编写并根据需求封装相关支路，获得最终可直接在SPICE仿真器中调用的限制安全工作区SOA的超结MOSFET模块或限制安全工作区SOA的外围子电路模块。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学;华润微电子(重庆)有限公司，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。