复旦大学陈琳获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种基于ZrO2反铁电性的多比特存储场效应晶体管制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211112651.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种基于ZrO2反铁电性的多比特存储场效应晶体管制备方法是由陈琳;李振海;孟佳琳;王天宇;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于ZrO2反铁电性的多比特存储场效应晶体管制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于ZrO2反铁电性的多比特存储场效应晶体管制备方法。包括以下步骤：在Si衬底上沉积SiO2层，并对SiO2层进行光刻、刻蚀露出衬底形成栅极窗口；利用氮等离子体对Si衬底做钝化处理形成Si3N4薄层；形成HZOZrO2HZO叠层结构，通过调控ZrO2的厚度，使ZrO2具有适当的反铁电特性，并通过调节ZrO2两侧HZO的厚度来调控ZrO2反转电流的大小，从而调节ZrO2层反铁电电流特征峰的移动，使器件拥有非易失性多态存储的同时扩大存储窗口；形成TiN层作为栅极，并在N2氛围中退火；刻蚀去除两侧的SiO2层，光刻出源极和漏极的位置并进行离子注入掺杂；形成SiO2边墙，再次进行离子注入，高温快速退火，激活掺杂离子；在源极、漏极和栅极表面形成接触电极。
本发明授权一种基于ZrO2反铁电性的多比特存储场效应晶体管制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于ZrO2反铁电性的多比特存储场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在Si衬底上沉积SiO2层，并对SiO2层进行光刻、刻蚀露出衬底形成栅极窗口； 利用氮等离子体对Si衬底做钝化处理形成Si3N4薄层； 形成HZOZrO2HZO叠层结构，通过调控ZrO2的厚度，使ZrO2具有适当的反铁电特性，并通过调节ZrO2两侧HZO的厚度来调控ZrO2反转电流的大小，从而调节ZrO2层反铁电电流特征峰的移动，使器件拥有非易失性多态存储的同时扩大存储窗口； 形成TiN层作为栅极，并在N2氛围中退火； 刻蚀去除两侧的SiO2层，光刻出源极和漏极的位置并进行离子注入掺杂； 在栅极叠层两侧形成SiO2边墙，再次进行离子注入，高温快速退火，激活掺杂离子； 在源极、漏极和栅极表面形成接触电极。
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