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龙图腾网获悉上海齐感电子信息科技有限公司申请的专利一种像素单元电路、图像传感器及其时序控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115209075B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210905606.4，技术领域涉及：H04N25/77；该发明授权一种像素单元电路、图像传感器及其时序控制方法是由蒋寓文;傅正明设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种像素单元电路、图像传感器及其时序控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种像素单元电路，该像素单元电路包括：光电信号转换单元，用于将图像帧中像素点的曝光信息转换为初始电压信号；电压放大单元，用于将所述初始电压信号放大并输出；第一输出单元，用于接收并存储第n‑1帧时图像帧的像素点的第一电压信号；第二输出单元，用于接收并输出第n帧时图像帧的像素点的第二电压信号；比较单元，用于接收来自第一输出单元的所述第一电压信号和接收来自第二输出单元的第二电压信号，并对第一电压信号和第二电压信号进行比较，以确定第n‑1帧时图像帧中所述像素点的初始电压信号与第n帧时图像帧中所述像素点的初始电压信号之间是否存在变化。本发明提供的像素单元电路用以保证CIS性能的前提下节省功耗。

本发明授权一种像素单元电路、图像传感器及其时序控制方法在权利要求书中公布了：1.一种像素单元电路，其特征在于，包括： 光电信号转换单元，用于将图像帧中像素点的曝光信息转换为初始电压信号； 电压放大单元，用于将所述初始电压信号放大并输出； 其中，所述光电信号转换单元包括光电二极管；所述电压放大单元包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管； 所述第一MOS管的源极或漏极和所述第二MOS管的栅极均连接至所述光电二极管的阴极，第二MOS管的源极或漏极连接第三MOS管的源极或漏极，第二MOS管的漏极或源极和第一MOS管的漏极或源极均连接至电源电压；第一输出单元连接至所述电压放大单元，用于接收并存储第n-1帧时图像帧中所述像素点的第一电压信号； 第二输出单元连接至所述电压放大单元，用于接收并输出第n帧时图像帧中所述像素点的第二电压信号； 比较单元，所述比较单元分别与所述第一输出单元的输出端和所述第二输出单元的输出端相连接，用于接收来自所述第一输出单元的所述第一电压信号和接收来自所述第二输出单元的所述第二电压信号，并对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行比较，以确定第n-1帧时图像帧中所述像素点的初始电压信号与第n帧时图像帧中所述像素点的初始电压信号之间是否存在变化； 当所述第一电压信号和所述第二电压信号的差值的绝对值不在设定范围内时，确定第n-1帧时图像帧中所述像素点的初始电压信号与第n帧时图像帧中所述像素点的初始电压信号之间存在变化，发送触发信号给模数转换单元； 其中，所述模数转换单元与所述第二输出单元的输出端连接，所述模数转换单元用于接收所述第n帧时图像帧中所述像素点的第二电压信号；当所述模数转换单元接收到所述触发信号时，开始对所述第二电压信号进行模数转换。

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