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龙图腾网获悉深圳市尚鼎芯科技有限公司申请的专利一种超结IGBT的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944337B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210823656.8，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种超结IGBT的制造方法是由刘道国设计研发完成，并于2022-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超结IGBT的制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及一种超结IGBT的制造方法，本发明通过采用快中子辐照能够对单晶硅的电学性能产生较大影响，其在硅中引入的具有电活性的缺陷可以使硅的电阻率发生较大变化；本超结IGBT器件的制造方法能够增强快中子辐照中射入粒子与硅原子的库伦作用，更好的控制硅中的缺陷，实现精确控制器件制造工艺中硅片内的少子寿命，实现高成品率以及带来更好的经济效益；本发明超结IGBT的制造方法，可以降低电流对电荷平衡态的影响，使器件具有更好的稳定性和可靠性。

本发明授权一种超结IGBT的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结IGBT的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S100：制作场氧化层，在硅衬底底部形成P型重掺杂的注入区（4），在所述注入区（4）上方形成N型重掺杂的缓冲区（5），并在所述缓冲区（5）上方形成N型掺杂的漂移区（6）； 步骤S101：在硅衬底上侧分别形成位于左侧的第一沟槽（11）和位于右侧的第二沟槽（12）； 步骤S102：离子注入分别在第一沟槽（11）和第二沟槽（12）的上部左右两侧形成第一载体存储区（21），并使离子在所述第一沟槽（11）和第二沟槽（12）的底部扩散，分别在第一沟槽（11）和第二沟槽（12）的左下侧和右下侧形成第二载体存储区（22）； 步骤S103：刻蚀所述第一沟槽（11）和第二沟槽（12）的底部，使其低于所述第二载体存储区（22）的底部，并位于所述漂移区（6）内； 步骤S104：在所述第一沟槽（11）和第二沟槽（12）内形成栅极（8）； 步骤S105：在所述硅衬底上部形成P型的体区（7），所述体区（7）的底部与所述第二载体存储区（22）的顶部接触；在第一沟槽（11）的左右两侧和第二沟槽（12）的左右两侧形成N型源漏（31），并连接栅极（8）；在体区（7）上部形成P型源漏（32），并连接发射极； 步骤S106：对所述硅衬底采用快中子进行辐照； 步骤S107：对所述硅衬底进行退火处理，通过450°C温度退火在辐照区域禁带中引入受主能级，通过650°C以上温度退火使单晶硅中导电类型恢复。

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