华灿光电(浙江)有限公司兰叶获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善转移精度的发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210825532.3，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权改善转移精度的发光二极管芯片及其制备方法是由兰叶;王江波;吴志浩;张威设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善转移精度的发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善转移精度的发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片具有第一表面、第二表面以及多个侧面，所述第一表面和所述第二表面相对，且所述第一表面为电极所在的表面，所述多个侧面分别连接所述第一表面和所述第二表面，所述侧面上具有多个导流槽，多个所述导流槽在所述第一表面上的正投影轴对称分布，所述导流槽从所述第一表面向所述第二表面延伸，所述导流槽的横截面积从一端向另一端逐渐减小，且所述导流槽靠近所述第一表面的一端的横截面积大于远离所述第一表面的一端的横截面积。本公开实施例能在转移芯片的过程中，让芯片平稳地转移至电路板，提升芯片转移精度。
本发明授权改善转移精度的发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片具有第一表面101、第二表面102以及多个侧面，所述第一表面101和所述第二表面102相对，且所述第一表面101为电极30所在的表面，所述多个侧面分别连接所述第一表面101和所述第二表面102，所述侧面上具有多个导流槽20，多个所述导流槽20在所述第一表面101上的正投影轴对称分布，所述导流槽20从所述第一表面101向所述第二表面102延伸，所述导流槽20的横截面积从一端向另一端逐渐减小，且所述导流槽20靠近所述第一表面101的一端的横截面积大于远离所述第一表面101的一端的横截面积，所述导流槽20的横截面积为所述导流槽20平行于所述第一表面101的横截面的面积。
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