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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利功率半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210812168.7，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权功率半导体器件及其制备方法是由王群;龚逸品;陈张笑雄;王江波设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种功率半导体器件及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该功率半导体器件包括外延片、阳电极和阴电极；外延片包括衬底和依次形成在衬底上的缓冲层、U‑GaN层、AlGaN层、GaN帽层和SiN保护层；阳电极和阴电极相互间隔，阳电极的第一端依次贯穿SiN保护层和GaN帽层并插接在AlGaN层内，阳电极朝向阴电极的一侧相对于AlGaN层倾斜；阴电极的第一端依次贯穿SiN保护层和GaN帽层并插接在AlGaN层内，阴电极朝向阳电极的一侧相对于AlGaN层倾斜。本公开能够改善电场分布，有助于提高功率半导体器件的高温可靠性。

本发明授权功率半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括外延片10、阳电极20和阴电极30； 所述外延片10包括衬底110和依次形成在所述衬底110上的缓冲层120、U-GaN层130、AlGaN层140、GaN帽层150和SiN保护层160； 所述阳电极20和所述阴电极30相互间隔，所述阳电极20的第一端依次贯穿所述SiN保护层160和所述GaN帽层150并插接在所述AlGaN层140内，所述阳电极20朝向所述阴电极30的一侧相对于所述AlGaN层140倾斜，在所述阳电极20的第一端至第二端的方向上，所述阳电极20朝向所述阴电极30的一侧，朝向所述阴电极30倾斜，所述阳电极20的纵剖面为直角梯形，所述直角梯形的上底为所述阳电极20的第一端，所述直角梯形的下底为所述阳电极20的第二端，所述直角梯形的高背离所述阴电极30，且垂直于所述AlGaN层140，所述直角梯形的斜腰靠近所述阴电极30，且倾斜于所述AlGaN层140，所述直角梯形的斜腰为所述阳电极20倾斜的一侧； 所述阴电极30的第一端依次贯穿所述SiN保护层160和所述GaN帽层150并插接在所述AlGaN层140内，所述阴电极30朝向所述阳电极20的一侧相对于所述AlGaN层140倾斜，在所述阴电极30的第二端至第一端的方向上，所述阴电极30朝向所述阳电极20的一侧，背离所述阳电极20倾斜，所述阴电极30的纵剖面为直角梯形，所述直角梯形的上底为所述阴电极30的第二端，所述直角梯形的下底为所述阴电极30的第一端，所述直角梯形的高背离所述阳电极20，且垂直于所述AlGaN层140，所述直角梯形的斜腰靠近所述阳电极20，且倾斜于所述AlGaN层140，所述直角梯形的斜腰为所述阴电极30倾斜的一侧； 所述阳电极20朝向所述阴电极30倾斜的一侧，与所述阴电极30朝向所述阳电极20倾斜的一侧相互平行。

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