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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210798536.7，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置是由罗传宝设计研发完成，并于2022-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本申请涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：基底；源漏极层，设于基底的一侧，并用于向感光薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管提供源极和漏极；第一半导体层和第二半导体层，设于源漏极层背离基底的一侧，并分别用于向驱动薄膜晶体管和感光薄膜晶体管提供有源层，且第一半导体层的材质包括多晶硅，第二半导体层的材质包括非晶硅；第一栅极层和第二栅极层，分别设于第一半导体层和第二半导体层背离源漏极层的一侧，并分别用于向驱动薄膜晶体管和感光薄膜晶体管提供栅极，从而在阵列基板应用于显示面板时，使得显示面板能够同时实现优良的感光特性和良好的显示效果。

本发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括基底以及设于所述基底的一侧的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括感光单元和驱动单元，所述感光单元包括感光薄膜晶体管，所述驱动单元包括驱动薄膜晶体管，且其中，所述薄膜晶体管层具体包括： 源漏极层，设于所述基底的一侧，并用于向所述感光薄膜晶体管提供源极和对应的漏极，以及向所述驱动薄膜晶体管提供源极和对应的漏极； 同层设置的第一半导体层和第二半导体层，设于所述源漏极层背离所述基底的一侧，所述第二半导体层用于向所述感光薄膜晶体管提供有源层，所述第一半导体层用于向所述驱动薄膜晶体管提供有源层，且所述第二半导体层的材质包括非晶硅，所述第一半导体层的材质包括多晶硅； 第一栅极层和第二栅极层，所述第二栅极层设于所述第二半导体层背离所述源漏极层的一侧，并用于向所述感光薄膜晶体管提供栅极，所述第一栅极层设于所述第一半导体层背离所述源漏极层的一侧，并用于向所述驱动薄膜晶体管提供栅极； 栅绝缘层，设于所述第一半导体层和所述第二半导体层背离所述基底的一侧，且所述第一栅极层和所述第二栅极层设于所述栅绝缘层背离所述基底的一侧； 其中，所述栅绝缘层包括同层设置的第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，所述第一栅绝缘层设于所述驱动薄膜晶体管的有源层和对应的栅极之间，所述第二栅绝缘层设于所述感光薄膜晶体管的有源层和对应的栅极之间。

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