买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利缺陷定位方法、缺陷分析方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210777146.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权缺陷定位方法、缺陷分析方法及系统是由江倩;吴明敏;蔡钟贤设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本缺陷定位方法、缺陷分析方法及系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种缺陷定位方法、缺陷分析方法及系统，该缺陷定位方法包括：从半导体器件的第一表面一侧获得缺陷区域的第一位置信息；其中，半导体器件包括经过隐形激光切割形成的切割面，半导体器件包括相背设置的第一表面和第二表面，切割面位于第一表面和第二表面之间并与第一表面连接；从第一表面一侧对半导体器件进行多次抛光，并获取每次抛光后半导体器件抛光表面的晶体结构异常区域的第二位置信息；基于第一位置信息、多个第二位置信息和切割面获得缺陷发生起始区域。通过上述方式，本申请能够定位隐形激光切割过程中缺陷发生起始区域，以助于对隐形激光切割过程中的散射缺陷进行分析。

本发明授权缺陷定位方法、缺陷分析方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种缺陷定位方法，其特征在于，包括： 从半导体器件的第一表面一侧获得缺陷区域的第一位置信息；其中，所述半导体器件包括经过隐形激光切割形成的切割面，所述半导体器件包括相背设置的所述第一表面和第二表面，所述切割面位于所述第一表面和所述第二表面之间并与所述第一表面连接； 从所述第一表面一侧对所述半导体器件进行多次抛光，并获取每次抛光后所述半导体器件抛光表面的晶体结构异常区域的第二位置信息； 基于所述第一位置信息、多个所述第二位置信息和所述切割面获得缺陷发生起始区域； 其中，所述从半导体器件的第一表面一侧获得缺陷区域的第一位置信息的步骤，包括：获取所述半导体器件的所述第一表面的热成像图；基于所述热成像图确定所述缺陷区域的所述第一位置信息；其中，所述缺陷区域为所述热成像图中温度大于温度阈值的区域； 其中，所述获取每次抛光后所述半导体器件抛光表面的晶体结构异常区域的第二位置信息的步骤，包括：获得每次抛光后所述半导体器件的抛光表面的透射图像；基于所述透射图像获取抛光后所述抛光表面的至少部分区域的晶体结构信息；基于所述晶体结构信息获得晶体结构异常区域；将所述晶体结构异常区域的中心点坐标作为所述第二位置信息； 其中，所述基于所述第一位置信息、多个所述第二位置信息和所述切割面获得缺陷发生起始区域的步骤，包括：将所述第一位置信息和多个所述第二位置信息拟合成直线；将所述直线与所述切割面的交接点作为所述缺陷发生起始区域的目标中心点；获得所述缺陷发生起始区域；其中，所述缺陷发生起始区域内任意位置与所述目标中心点的距离小于或等于距离阈值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人通富微电子股份有限公司，其通讯地址为：226000 江苏省南通市崇川路288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。