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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274947B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210770975.7，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法是由肖云飞;陆香花;葛永晖;梅劲设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的n型层、发光层和p型层；发光层包括多个InGaN量子阱层、多个n型GaN量子垒层和一个复合量子垒层，多个InGaN量子阱层和多个n型GaN量子垒层交替层叠，复合量子垒层位于最靠近p型层的InGaN量子阱层上，复合量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，第一子层和第五子层均为GaN层，第二子层为AlN层，第三子层为AlxGa1‑xN层，0.02≤x≤0.08，第四子层为InN层。本公开实施例能提高电子空穴复合效率，提升发光二极管的发光效率。

本发明授权提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提升发光效率的发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底10和依次形成在所述衬底10上的n型层20、发光层30和p型层40； 所述发光层30包括多个InGaN量子阱层31、多个n型GaN量子垒层32和一个复合量子垒层320，所述多个InGaN量子阱层31和所述多个n型GaN量子垒层32交替层叠，所述复合量子垒层320位于最靠近所述p型层40的所述InGaN量子阱层31上，所述复合量子垒层320包括依次层叠的第一子层321、第二子层322、第三子层323、第四子层324和第五子层325，所述第一子层321和所述第五子层325均为GaN层，所述第二子层322为AlN层，所述第三子层323为AlxGa1-xN层，0.02≤x≤0.08，所述第四子层324为InN层，所述第一子层321的厚度为1nm至5nm，所述第二子层322的厚度为0.5nm至1.5nm，所述第三子层323的厚度为1nm至2nm，所述第四子层324的厚度为0.5nm至1.5nm，所述第五子层325的厚度为1nm至5nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。