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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种超宽带功率放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114928337B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210763107.6，技术领域涉及：H03F1/42；该发明授权一种超宽带功率放大器是由李巍;王晓亮;王茜;冯春;贺腾;肖红领;姜丽娟设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超宽带功率放大器在说明书摘要公布了：本公开提供一种超宽带功率放大器，包括：晶体管M1，源极接地，栅极作为输入端，漏极作为输出端；输入匹配电路，接收射频输入信号，用于将功率放大器的输入阻抗与射频源的输出阻抗匹配；栅极偏置电路，用于对晶体管M1的栅极进行直流供电，控制晶体管M1的电学偏置状态；漏极偏置电路，用于控制晶体管M1的漏极偏置电压，并给功率放大器的电路提供直流功率；输出匹配电路，一端与晶体管M1的漏极相连，另一端连接外接负载，用于将功率放大器的输出阻抗与外接负载的阻抗相匹配；以及负反馈电路，一端与晶体管M1的漏极相连，另一端与晶体管M1的栅极相连，用于对晶体管M1的输出信号进行分压并反馈至晶体管M1的输入端侧，以改善功率放大器电路的增益平坦度。

本发明授权一种超宽带功率放大器在权利要求书中公布了：1.一种超宽带功率放大器，工作频率覆盖兆赫兹到吉赫兹，该放大器包括： 晶体管M1（3），源极接地，栅极作为输入端，漏极作为输出端； 输入匹配电路（1），一端与射频源相连，用于接收射频输入信号，另一端与所述晶体管M1的栅极相连，用于将功率放大器的输入阻抗与射频源的输出阻抗匹配； 栅极偏置电路（2），与所述晶体管M1的栅极相连，用于对晶体管M1（3）的栅极进行直流供电，控制晶体管M1（3）工作时的电学偏置状态； 漏极偏置电路（6），与所述晶体管M1的漏极相连，用于控制晶体管M1（3）的漏极偏置电压，并给功率放大器的电路提供直流功率； 输出匹配电路（5），一端与所述晶体管M1（3）的漏极相连，另一端连接外接负载，用于将功率放大器的输出阻抗与外接负载的阻抗相匹配；以及 负反馈电路（4），一端与所述晶体管M1的漏极相连，另一端与所述晶体管M1的栅极相连，所述负反馈电路（4）用于对所述晶体管M1的输出端侧的输出信号进行分压并反馈至所述晶体管M1的输入端侧，以改善功率放大器电路的增益平坦度； 所述输入匹配电路（1）包括电容C1，电容C2，电容C3，电容C4，电感L1，电感L2，电阻R1，电阻R2；电容C1的一端连接至射频源的输出端，另一端分别连接至并联设置的电感L1和电容C2，电容C2和电感L2串联之后与电感L1一起连接至晶体管M1（3）的栅极，电容C4的一端接地，另一端与电阻R2串联；电容C3的一端接地，另一并联连接至电阻R2的另一端之后再与电阻R1的一端串联，电阻R1的另一端连接至串联的电容C2和电感L2之间；所述栅极偏置电路（2）包括电容C7、电容C8、电容C9、电阻R4、电感L4；电容C7、电容C8、电容C9并联设置，所述电容C7、电容C8、电容C9均是一端接地，另一端连接至电源VGS；电阻R4一端连接至晶体管M1（3）的栅极，另一端与电感L4串联之后连接至电源VGS。

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