华灿光电(浙江)有限公司张威获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利三基色发光二极管芯片制备方法及三基色发光二极管芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295686B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210784737.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权三基色发光二极管芯片制备方法及三基色发光二极管芯片是由张威;王杰;王江波设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本三基色发光二极管芯片制备方法及三基色发光二极管芯片在说明书摘要公布了：本公开提供了一种三基色发光二极管芯片制备方法及三基色发光二极管芯片，属于光电子制造技术领域。所述制备方法包括：分别在三个衬底上制作第一外延层、第二外延层和第三外延层；在所述第一外延层和所述第二外延层的表面制作第一中间层，并通过所述第一中间层使所述第一外延层和所述第二外延层相连；除去所述第二外延层的衬底；对所述第二外延层除去衬底后露出的表面进行粗化；在所述第二外延层和所述第三外延层的表面制作第二中间层，并通过所述第二中间层使所述第二外延层和所述第三外延层相连；除去所述第三外延层的衬底；制作与所述第一外延层、第二外延层和第三外延层连接的电极。
本发明授权三基色发光二极管芯片制备方法及三基色发光二极管芯片在权利要求书中公布了：1.一种三基色发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 分别在三个衬底上制作第一外延层、第二外延层和第三外延层； 在所述第一外延层和所述第二外延层的表面制作第一中间层，并通过所述第一中间层使所述第一外延层和所述第二外延层相连； 除去所述第二外延层的衬底； 对所述第二外延层除去衬底后露出的表面进行粗化； 在所述第二外延层和所述第三外延层的表面制作第二中间层，并通过所述第二中间层使所述第二外延层和所述第三外延层相连； 除去所述第三外延层的衬底； 制作与所述第一外延层、第二外延层和第三外延层连接的电极。
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