买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉苏州科技大学申请的专利稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000252B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210683697.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法是由王晓丹;罗璇;陈华军;王丹;毛红敏;葛丽娟;曾雄辉设计研发完成，并于2022-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤一、在反应器中第一进气通道、第三进气通道内分别设置有镓金属蒸发池、稀土铕金属蒸发池，所述衬底设置于反应器的底部；步骤二、以氮气和氢气的混合气体作为载气混合有氨气从第二进气通道进入反应器内，氯化氢作为反应气体分别流过设置有镓金属蒸发池、稀土铕金属蒸发池的第一进气通道、第三进气通道，从而在衬底上形成铕掺GaN单晶薄膜；步骤三、将步骤二获得的铕掺GaN单晶薄膜装入炉中退火，退火条件为：氮气或和氨气，退火温度为1000~1200℃，退火时间为0.5~4h。本发明制备方法获得的GaN纳米薄膜稀土离子掺入均匀并能使得稀土离子进入GaN晶格。

本发明授权稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法基于一反应器（1），此反应器（1）一侧在竖直方向上依次设置有第一进气通道（2）、第二进气通道（3）和第三进气通道（4），另一侧具有排气通道（5），一衬底（8）位于第一进气通道（2）、第二进气通道（3）、第三进气通道（4）与排气通道（5）之间； 包括以下步骤： 步骤一、在反应器（1）中第一进气通道（2）、第三进气通道（4）内分别设置有镓金属蒸发池（6）、稀土铕金属蒸发池（7），所述衬底（8）设置于反应器（1）的底部； 步骤二、以氮气和氢气的混合气体作为载气混合有氨气从第二进气通道（3）进入反应器（1）内，氯化氢作为反应气体分别流过设置有镓金属蒸发池（6）、稀土铕金属蒸发池（7）的第一进气通道（2）、第三进气通道（4），从而在衬底（8）上形成铕掺GaN单晶薄膜；所述镓金属蒸发池（6）的温度为850~900℃，所述稀土铕金属蒸发池（7）的温度为600~1000℃； 步骤三、将步骤二获得的铕掺GaN单晶薄膜装入炉中退火，退火条件为：氮气或和氨气，退火温度为1000~1200℃，退火时间为0.5~4h。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州科技大学，其通讯地址为：215009 江苏省苏州市高新区科锐路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。