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龙图腾网获悉东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所申请的专利一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883416B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210669192.X，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源及其制备方法是由吴汪然;黄庭瑞;杨光安;俞祚旭;孙伟锋;时龙兴设计研发完成，并于2022-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源的制备方法，包括：获取衬底；在衬底上形成栅电极层；在栅电极层上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成IGZO有源层；在IGZO有源层上形成源极、漏极；通过对薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。通过氢等离子体处理工艺实现氢掺杂，提升沟道载流子浓度，使n型增强型IGZO薄膜晶体管转变为n型耗尽型IGZO薄膜晶体管，该工艺简便快捷、兼容性好，易于实现大规模生产。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源，包括电流源子电路与基准电压子电路，对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现低线性灵敏度的基准电压源。

本发明授权一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源，其特征在于，包括：电流源子电路和基准电压子电路； 所述电流源子电路包括第一耗尽型IGZO薄膜晶体管D1、第二耗尽型IGZO薄膜晶体管D2、第一增强型IGZO薄膜晶体管M1、第二增强型IGZO薄膜晶体管M2、反馈管MR1，其中： 第一耗尽型IGZO薄膜晶体管D1，漏极与供电电源VDD连接，栅极与第二耗尽型IGZO薄膜晶体管D2的栅极连接，源极与第一增强型IGZO薄膜晶体管M1的漏极连接； 第二耗尽型IGZO薄膜晶体管D2，漏极与供电电源VDD连接，栅极、源极均与第二增强型IGZO薄膜晶体管M2的漏极连接； 第一增强型IGZO薄膜晶体管M1，漏极、栅极均与第二增强型IGZO薄膜晶体管M2的栅极连接，源极接地GND； 第二增强型IGZO薄膜晶体管M2，源极与反馈管MR1的漏极连接； 反馈管MR1，源极接地GND； 增强型IGZO薄膜晶体管自下而上包括：衬底、栅电极层、栅极介电层、IGZO有源层，所述IGZO有源层上设置源极、漏极； 耗尽型IGZO薄膜晶体管自下而上包括衬底、栅电极层、栅极介电层、IGZO有源层，所述IGZO有源层上设置源极、漏极，源极和漏极之间的IGZO有源层被定义为实现氢掺杂的窗口。

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