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龙图腾网获悉伯恩半导体(无锡)有限公司申请的专利一种应用于DC-DC转换器的软启动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114884335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210623195.X，技术领域涉及：H02M1/36；该发明授权一种应用于DC-DC转换器的软启动电路是由张磊设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于DC-DC转换器的软启动电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种应用于DC‑DC转换器的软启动电路，包括偏置电流产生电路、窄脉冲时钟产生器、斜坡电压产生器、第一比较器和二选一电路。其中，偏置电流产生电路用于产生固定偏置电流；窄脉冲时钟产生器用于产生窄脉冲时钟信号；斜坡电压产生器用于产生斜坡电压；第一比较器用于比较斜坡电压和外部基准电压，并输出使能信号；二选一电路，根据使能信号选择并输出斜坡上升基准电压。本发明的软启动电路通过窄脉冲时钟信号，控制斜坡电压产生器中电容间歇性充电，控制斜坡电压的上升速度，延长软启动时间。通过电路配置，能够减小所需的电容值，减小电容器尺寸和电路尺寸，进而实现软启动电路中电容的全集成。

本发明授权一种应用于DC-DC转换器的软启动电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于DC-DC转换器的软启动电路，其特征在于，包括偏置电流产生电路（10）、窄脉冲时钟产生器（20）、斜坡电压产生器（30）、第一比较器（40）和二选一电路（50），其中， 所述偏置电流产生电路（10）分别连接所述窄脉冲时钟产生器（20）的输入端和所述斜坡电压产生器（30）的输入端，所述偏置电流产生电路（10）用于产生固定偏置电流；所述窄脉冲时钟产生器（20）连接所述斜坡电压产生器（30）的时钟信号输入端，用于产生窄脉冲时钟信号clk；所述斜坡电压产生器（30）连接所述第一比较器（40）的同相输入端，用于根据所述窄脉冲时钟信号clk产生斜坡电压VSS；所述第一比较器（40）的反相输入端输入外部基准电压VREF，输出端与所述二选一电路（50）连接，用于对所述斜坡电压VSS和所述外部基准电压VREF进行比较，并根据比较结果输出使能信号EN；所述二选一电路（50），用于根据所述使能信号EN选择并输出斜坡上升基准电压VREF_SS； 所述偏置电流产生电路（10）包括，第一NMOS管（MN1）、第二NMOS管（MN2）、第三NMOS管（MN3）、第一PMOS管（MP1）、第二PMOS管（MP2）、第三PMOS管（MP3）、第一电阻（R1）和第二电阻（R2）；其中，所述第一NMOS管（MN1）的栅极输入所述外部基准电压VREF，所述第一NMOS管（MN1）源极分别连接所述第二NMOS管（MN2）的源极和所述第一电阻（R1）的第一端，所述第一电阻（R1）第二端连接接地端（GND），所述第一NMOS管（MN1）的漏极分别连接所述第一PMOS管（MP1）的漏极和栅极；所述第二NMOS管（MN2）的栅极分别连接所述第三NMOS管（MN3）的源极和所述第二电阻（R2）的第一端，所述第二电阻（R2）第二端连接所述接地端（GND），所述第二NMOS管（MN2）的漏极分别连接所述第三NMOS管（MN3）的栅极和所述第二PMOS管（MP2）的漏极；所述第三NMOS管（MN3）的漏极连接所述第三PMOS管（MP3）的漏极；所述第一PMOS管（MP1）的栅极分别连接所述第二PMOS管（MP2）的栅极和所述第三PMOS管（MP3）的栅极；所述第一PMOS管（MP1）、所述第二PMOS管（MP2）和所述第三PMOS管（MP3）的源极均连接电源电压端（VDD）； 所述窄脉冲时钟产生器（20）包括，第四PMOS管（MP4）、第四NMOS管（MN4）、或门（OR1）、第一电容（C1）和第二比较器（20-1）；其中，所述第四PMOS管（MP4）的栅极连接所述第三PMOS管（MP3）的栅极，所述第四PMOS管（MP4）的源极连接所述电源电压端（VDD），所述第四PMOS管（MP4）的漏极分别连接所述第二比较器（20-1）的同相输入端、所述第一电容（C1）的上极板和所述第四NMOS管（MN4）的漏极，所述第一电容（C1）的下极板连接所述接地端（GND）；所述第四NMOS管（MN4）的栅极连接所述或门（OR1）的输出端，所述第四NMOS管（MN4）的源极连接所述接地端（GND）；所述第二比较器（20-1）的反相输入端输入所述外部基准电压VREF，所述第二比较器（20-1）的输出端分别连接所述或门（OR1）的第一输入端和所述斜坡电压产生器（30）的时钟信号输入端；所述或门（OR1）的第二输入端连接所述第一比较器（40）的输出端； 所述斜坡电压产生器（30）包括，第五PMOS管（MP5）、第六PMOS管（MP6）、第二电容（C2）和第一非门（INV1）；其中，所述第一非门（INV1）的输入端连接所述第二比较器（20-1）的输出端，所述第一非门（INV1）的输出端连接所述第六PMOS管（MP6）的栅极；所述第五PMOS管（MP5）的栅极连接所述第四PMOS管（MP4）的栅极，所述第五PMOS管（MP5）的源极连接所述电源电压端（VDD），所述第五PMOS管（MP5）的漏极连接所述第六PMOS管（MP6）的源极；所述第六PMOS管（MP6）的漏极分别连接所述第二电容（C2）的上极板和所述第一比较器（40）的同相输入端，所述第二电容（C2）下极板连接所述接地端（GND）； 所述偏置电流产生电路（10）产生的固定偏置电流经过由所述第四PMOS管（MP4）和所述第五PMOS管（MP5）组成的电流镜，为所述窄脉冲时钟产生器（20）和所述斜坡电压产生器（30）分别提供偏置电流。

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