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龙图腾网获悉成都楞次科技有限公司申请的专利一种GaN FET半桥串扰抑制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114844345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210536004.6，技术领域涉及：H02M1/44；该发明授权一种GaN FET半桥串扰抑制电路是由毕闯;王娜;洪涛;贾科林设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN FET半桥串扰抑制电路在说明书摘要公布了：本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种GaNFET半桥串扰抑制电路。本发明提供一种GaN半桥串扰抑制电路，利用有源器件实现串扰抑制，并防止因桥臂串扰导致GaN桥臂直通或器件击穿，抑制效果明显，能够很好的保证GaN器件的正确开通和关断。

本发明授权一种GaN FET半桥串扰抑制电路在权利要求书中公布了：1.一种GaNFET半桥串扰抑制电路，连接于GaN同步BUCK电路的GaN器件栅极、源极之间，其特征在于，包括第一GaN开关管、第二GaN开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、电容、第一电感、第二电感、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第一电压源、第二电压源、第三电压源和第四电压源；其中，第一GaN开关管的漏极通过第一电感后接母线电压正极，其栅极依次通过第一电阻、第二电阻和第二二极管后接第一开关管的源极和第二开关管的漏极；第五电阻并联在第二二极管和第二电阻两端；第一开关管的漏极接第一电压源的正端，其栅极接第一控制信号；第二开关管的源极接第二电压源的负端，其栅极接第二控制信号；第一电压源的负端和第二电压源的正端接第一GaN开关管的源极、第二GaN开关管的漏极、第二电感的一端；第一三极管的集电极接第一二极管的负极，第一二极管的正极接第二开关管的源极、第三电阻的一端、第四电阻的一端、第二三极管的集电极；第三电阻的另一端接第一三极管的基极，第一三极管的发射极接第一电阻和第二电阻的连接点，以及第二三极管的发射极；第二三极管的基极接第四电阻的另一端； 第二GaN开关管的栅极依次通过第六电阻、第七电阻和第四二极管后接第三开关管的源极和第四开关管的漏极；第十电阻并联在第四二极管和第七电阻两端；第三开关管的漏极接第三电压源的正端，其栅极接第三控制信号；第四开关管的源极接第四电压源的负端，其栅极接第四控制信号；第三电压源的负端和第四电压源的正端接第二GaN开关管的源极和母线电压负极；第三三极管的集电极接第三二极管的负极，第三二极管的正极接第四开关管的源极、第八电阻的一端、第九电阻的一端、第四三极管的集电极；第八电阻的另一端接第三三极管的基极，第三三极管的发射极接第六电阻和第七电阻的连接点，以及第四三极管的发射极；第四三极管的基极接第九电阻的另一端； 第二电感的另一端接由电容和第十一电阻构成的并联电路从而形成输出端接GaN器件栅极。

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