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龙图腾网获悉西安交通大学;深圳市天地通电子有限公司申请的专利一种多孔金属氧化物晶圆级微纳气体传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114689654B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210335484.X，技术领域涉及：G01N27/00；该发明授权一种多孔金属氧化物晶圆级微纳气体传感器及制备方法是由王海容;曹慧通;田鑫;李剑;胡宗鑫设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多孔金属氧化物晶圆级微纳气体传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多孔金属氧化物晶圆级微纳气体传感器及制备方法，包括在Si基底正背面制备SiO2‑Si3N4双层复合薄膜；薄膜上沉积SiO2和Si3N4，正面绝缘层上光刻得到敏感材料区域的图形；自组装单层SiO2微球，干法刻蚀Si3N4，BOE去除SiO2微球，制作多孔金属氧化物薄膜。光刻工艺得到敏感电极及引线盘、加热电极及引线盘、测温电极及引线盘的图案；湿法腐蚀制作绝缘槽，烘干，得到多孔金属氧化物晶圆级微纳气体传感器。该传感器通过实现多孔金属氧化物薄膜的制作来提高传感器的气敏性能。本发明中敏感材料带有亚微米级微孔，具有极高的比表面积和更好的气体响应特性，能够实现与MEMS工艺的集成，从而实现晶圆级芯片的加工。

本发明授权一种多孔金属氧化物晶圆级微纳气体传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多孔金属氧化物晶圆级微纳气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在Si基底正面和背面，分别采用热氧化和低压化学气相沉积法制备SiO2-Si3N4双层复合薄膜； 2在正面SiO2-Si3N4双层复合薄膜上，采用等离子增强化学气相沉积法依次沉积SiO2和Si3N4，退火； 3在正面绝缘层上，通过匀胶光刻工艺，得到敏感材料区域的图形； 4在带有敏感材料区域图形的硅片正面利用捞取的方法得到单层SiO2微球，加热，得到SiO2微球掩蔽层； 5在硅片正面利用干法刻蚀Si3N4，制作亚微米级微孔； 6利用BOE溶液去除SiO2微球，同时超声震荡； 7在带有亚微米级微孔的硅片正面的敏感材料区域溅射敏感材料，形成多孔金属氧化物薄膜； 8利用丙酮-乙醇-去离子水依次清洗，在空气中热处理； 9在敏感材料包围的矩形区域上，采取和步骤3相同的匀胶光刻工艺得到敏感电极及引线盘、加热电极及引线盘、测温电极及引线盘的图案； 10在加热电极及引线盘和敏感电极及引线盘图形上溅射Cr粘接层，在粘接层上溅射Au层； 11采取和步骤8相同的工艺，去掉光刻胶，在空气中加热； 12采取和步骤3相同的匀胶光刻工艺得到背面凹槽窗口图案； 13通过深干法刻蚀祛除凹槽窗口处的Si3N4-SiO2层，再用和步骤8相同的工艺去除光刻胶； 14在芯片正面旋涂光刻胶，在芯片正面滴满PDMS，将芯片正面贴在玻璃片上，烘干； 15利用湿法腐蚀制作绝缘槽，烘干，得到多孔金属氧化物晶圆级微纳气体传感器。

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