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龙图腾网获悉武汉高芯科技有限公司申请的专利一种计算超晶格材料能带结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114861394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210330738.9，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种计算超晶格材料能带结构的方法是由黄立;薛堪豪;王晓碧;刘永锋;吴佳;杨晟鑫;周文洪设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种计算超晶格材料能带结构的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种计算超晶格材料能带结构的方法，包括如下步骤：从头计算衬底的晶格常数以及构成超晶格的各种体材料的晶格常数；利用衬底晶格常数以及构成超晶格的各种体材料的晶格常数，构建超晶格模型；对超晶格模型进行弛豫；利用shDFT‑12算法进行电子自相互作用修正，获得修正后的赝势；使用修正后的赝势计算超晶格的电子能带结构。本发明提出优化后的shDFT‑12计算方法，针对InAs、GaSb等共价半导体及其组成的超晶格材料取得了良好的计算结果，shDFT‑12计算方法无经验参数，不仅精确度高且普适性强。

本发明授权一种计算超晶格材料能带结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种计算超晶格材料能带结构的方法，其特征在于，包括如下步骤： 从头计算衬底的晶格常数以及构成超晶格的各体材料的晶格常数； 利用衬底晶格常数以及构成超晶格的各种体材料的晶格常数，构建超晶格模型，具体包括：初步构建超晶格原胞，其a、b方向的晶格常数设置为衬底晶格常数计算值的倍数；其c方向的晶格常数初始设置为构成超晶格的各个体材料对应的计算值的m倍数之和；不扩胞的情况下，a、b方向的晶格常数等于衬底的晶格常数计算值；若要使超晶格模型的界面层达到相应的比例，则构建超晶格模型时需要根据掺杂或界面层元素比例进行扩胞，通过扩胞来实现界面层相应不同比例的成分控制，需要扩胞时，如果a或b方向上扩胞扩成了n倍，则其a或b方向的晶格常数设置为衬底晶格常数计算值的n倍； c方向是材料的生长方向，有xMLInAs-yMLGaSb-0.1xMLInSb为一个周期进行周期性生长，不扩胞的情况下，该倍数m应该是x+y2+1，如果该倍数m非整数，则还要通过扩胞将m翻倍变成整数； 对超晶格模型进行弛豫； 利用shDFT-12算法进行电子自相互作用修正，获得修正后的赝势； 使用修正后的赝势计算超晶格的电子能带结构。

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