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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利正装LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709301B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210279143.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权正装LED芯片及其制备方法是由张柯;张星星;简弘安;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本正装LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种正装LED芯片及其制备方法，该方法包括：在所述蓝宝石衬底上生长有未掺杂半导体层和第二型半导体层；在第二型半导体层上沉积透明导电层，使用激光将蓝宝石衬底剥离脱落；采用干法刻蚀，以从未掺杂半导体层刻蚀至透明导电层；在未掺杂半导体层上依次沉积SiO2层、反射层、阻挡层以及共晶键合层；获取一氮化铝基板，并在氮化铝基板上沉积共晶键合层；将SiO2层上的共晶键合层与氮化铝基板上的共晶键合层键合。根据本发明提出的正装LED芯片的制备方法，使用衬底剥离工艺以释放外延晶格应力，有效提升外延层内量子效率，同时采用散热性能优良的氮化铝基板，便于芯片工作中散热，提升芯片在大电流下的运行可靠性。

本发明授权正装LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种正装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 获取一蓝宝石衬底，并在所述蓝宝石衬底上依次生长未掺杂半导体层，第一型半导体层，有源层，第二型半导体层； 接着在所述第二型半导体层上沉积透明导电层，并使用激光穿透所述蓝宝石衬底与所述未掺杂半导体层的交界处，以使蓝宝石衬底脱落，包括： 在所述第二型半导体层上沉积透明导电层，在所述透明导电层表面沉积SiO2层， 提供一硅片，将硅片与沉积在透明导电层上的SiO2层键合， 使用激光穿透所述蓝宝石衬底与所述未掺杂半导体层的交界处，以使蓝宝石衬底脱落， 将剥离蓝宝石衬底后的结构置于稀盐酸溶液中浸泡10-15min， 采用化学机械抛光技术将对剥离蓝宝石衬底后裸露出的未掺杂半导体层表面进行抛光； 接着采用干法刻蚀，以从所述未掺杂半导体层刻蚀至所述透明导电层； 接着在所述未掺杂半导体层上依次沉积SiO2层、反射层、阻挡层以及共晶键合层； 接着获取一氮化铝基板，并在所述氮化铝基板上沉积共晶键合层； 接着将SiO2层上的共晶键合层与氮化铝基板上的共晶键合层键合； 研磨以去除键合的硅片，裸露出沉积在透明导电层上的SiO2层； 接着使用BOE溶液腐蚀去除裸露在芯片表面的SiO2层，并对第二型半导体表面进行干法刻蚀，直至裸露出第一型半导体； 接着在第一型半导体表面蒸镀第一电极，在透明导电层表面蒸镀第二电极； 接着在芯片表面沉积钝化层，以保护芯片表面及侧壁，并使用黄光图形化以裸露出第一电极与第二电极。

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