中国科学院微电子研究所邹家宝获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116657118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210149529.4，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法是由邹家宝;何萌;卢维尔;谭明生;夏洋;刘涛;冷兴龙;屈芙蓉;赵丽莉;李楠设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法，S100：在反应腔室中放置样品和陪片；S200：进行原子层沉积，获得多层膜样品；S300：获得膜层生长数据；S400：对比实际膜厚与理论膜厚，获得平均生长速率；S500、S600：当平均生长速率不满足第一生长速率变化趋势时，进行误差数据排除，重复S400‑S600；S700：将平均生长速率作为初始生长速率；S800：保持工艺条件不变，调整工艺参数，重复S100‑S700；S900：获得多层膜器件。解决了现有技术对原子层沉积多层膜膜厚控制方法的研究相对较少，导致控制精度不高，存在无法获得理想的多层膜膜厚控制精度的技术问题。
本发明授权一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法，其特征在于，所述方法包括： S100：在反应腔室中放置样品和陪片； S200：通过第一工艺参数进行所述反应腔室多层膜所需生长材料的原子层沉积，获得多层膜样品； S300：对所述多层膜样品进行电镜成像，获得膜层生长数据； S400：对比实际膜厚与理论膜厚，获得平均生长速率； S500：判断所述平均生长速率是否满足第一生长速率变化趋势； S600：当所述平均生长速率不满足所述第一生长速率变化趋势时，进行所述平均生长速率中的误差数据排除，基于排除误差数据后的膜层生长数据，重复S400-S600，直至所述平均生长速率满足第一生长速率变化趋势停止； S700：将所述平均生长速率作为下一阶段薄膜材料的初始生长速率； S800：保持工艺条件不变，调整工艺参数，重复S100-S700； S900：获得高膜厚控制精度的多层膜器件。
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