广东粤港澳大湾区国家纳米科技创新研究院胡庆文获国家专利权
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龙图腾网获悉广东粤港澳大湾区国家纳米科技创新研究院申请的专利一种快速制备光刻胶掩膜的压印方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115167072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210079240.X，技术领域涉及：G03F1/00；该发明授权一种快速制备光刻胶掩膜的压印方法是由胡庆文;杜有成;李晓军设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种快速制备光刻胶掩膜的压印方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种快速制备光刻胶掩膜的压印方法，包括以下步骤：a采用复制材料通过压印方式获得硅母模版上的纳米结构图形数据，得到压印后的样片；b在步骤a得到的压印后的样片边缘开口后，将带有纳米结构图形数据的一面与基体贴合，然后在开口处注入光刻胶并使其填满压印后的样片与基体的间隙，再经UV固化，得到处理后的样品；c将步骤b得到的处理后的样品剥离压印后的样片，并去除开口处的光刻胶，得到纳米结构图形数据与所述硅母模版一致的光刻胶掩膜。与现有技术相比，本发明采用非光刻的特定工艺步骤，实现整体较好的相互作用，能够实现快速制备高保真精度的母模版，以便产品大批量生产制造使用，提高生产效率及产品良率。
本发明授权一种快速制备光刻胶掩膜的压印方法在权利要求书中公布了：1.一种快速制备光刻胶掩膜的压印方法，包括以下步骤： a采用复制材料通过压印方式获得硅母模版上的纳米结构图形数据，得到压印后的样片； b在步骤a得到的压印后的样片边缘开口后，将带有纳米结构图形数据的一面与基体贴合，然后在开口处注入光刻胶并使其填满压印后的样片与基体的间隙，再经UV固化，得到处理后的样品；所述开口的位置与所述压印后的样片与基体贴合形成的间隙相通； c将步骤b得到的处理后的样品剥离压印后的样片，并去除开口处的光刻胶，得到纳米结构图形数据与所述硅母模版一致的光刻胶掩膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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