华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司何慧敏获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司申请的专利一种半导体封装结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361153B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210003371.X，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权一种半导体封装结构及制备方法是由何慧敏设计研发完成，并于2022-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体封装结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体封装结构及制备方法。所述半导体封装结构包括：第二重布线结构；第一功能芯片和供压芯片，供压芯片倒装在第二重布线结构上，第一功能芯片正装在供压芯片背离第二重布线结构的一侧；位于第二重布线结构一侧且覆盖第一功能芯片和供压芯片的第一塑封层；位于第一功能芯片和供压芯片的侧部的第一导电连接件；位于第一塑封层背离第二重布线结构一侧的第一重布线结构，第一重布线结构与第一功能芯片的正面电连接，第一导电连接件与第一重布线结构和第二重布线结构电连接；倒装于第一重布线结构背离第二重布线结构一侧且与第一重布线结构电连接的第二功能芯片。本发明的半导体封装结构集成密度高，传输带宽大。
本发明授权一种半导体封装结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 第二重布线结构； 位于所述第二重布线结构一侧的第一功能芯片和供压芯片，所述供压芯片倒装在所述第二重布线结构一侧，所述第一功能芯片正装在所述供压芯片背离所述第二重布线结构的一侧； 位于所述第二重布线结构一侧且覆盖所述第一功能芯片的侧壁和所述供压芯片的侧壁的第一塑封层； 位于所述第一功能芯片和所述供压芯片的侧部且贯穿所述第一塑封层的第一导电连接件； 位于所述第一塑封层背离所述第二重布线结构一侧的第一重布线结构，所述第一重布线结构与所述第一功能芯片的正面电连接，所述第一导电连接件与所述第一重布线结构和所述第二重布线结构电连接； 倒装于所述第一重布线结构背离所述第二重布线结构一侧且与所述第一重布线结构电连接的第二功能芯片。
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