上海积塔半导体有限公司李乐获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111663779.1，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法是由李乐;胡林辉;黄永彬;王峰设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法，包括步骤：提供衬底，包括若干间隔分布的有源区以及位于有源区中间的浅沟槽隔离结构；于有源区内形成阱区；形成第一厚度的牺牲材料层，牺牲材料层覆盖有源区及浅沟槽隔离结构，牺牲材料层的材质与浅沟槽隔离结构的材质相同；对牺牲材料层进行化学机械研磨，以使牺牲材料层的厚度消减为第二厚度，第一厚度与第二厚度的差值大于等于400埃；进行湿法刻蚀去除残余的牺牲材料层，并使得有源区的上表面和浅沟槽隔离结构的上表面相平齐；于有源区的上表面依次形成栅氧化层和栅极多晶硅层。本发明可以有效避免在浅沟槽隔离结构周围形成凹坑，可以避免器件的局部导通，有助于提高器件性能。
本发明授权可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法，其特征在于，包括步骤： 提供衬底，所述衬底包括若干间隔分布的有源区以及位于有源区中间的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的上表面高于有源区的上表面； 于所述有源区表面形成保护层，所述保护层的材质与浅沟槽隔离结构的材质相同； 对所述有源区进行离子注入及高温退火，于所述有源区内形成阱区； 形成第一厚度的牺牲材料层，所述牺牲材料层覆盖所述有源区及浅沟槽隔离结构，所述牺牲材料层的材质与所述浅沟槽隔离结构的材质相同； 对所述牺牲材料层进行化学机械研磨，以使所述牺牲材料层的厚度消减为第二厚度，第一厚度与第二厚度的差值大于等于400埃； 进行湿法刻蚀去除残余的牺牲材料层，并使得有源区的上表面和浅沟槽隔离结构的上表面相平齐； 于有源区的上表面依次形成栅氧化层和栅极多晶硅层。
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