通富微电子股份有限公司陶玉娟获国家专利权
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龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利扇出型封装器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111665579.X，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权扇出型封装器件是由陶玉娟;姜艳设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本扇出型封装器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种扇出型封装器件，该器件包括：第一芯片，包括相背设置的功能面和非功能面、以及位于所述功能面和所述非功能面之间的侧面；多个阻挡件，围设在所述第一芯片的侧面外围；胶层，覆盖所述阻挡件和所述第一芯片的至少部分侧面外围；第一散热片，至少部分位于所述非功能面一侧，且所述非功能面和所述多个阻挡件在所述第一散热片上的正投影位于所述第一散热片内；通过上述器件，本申请能够降低扇出型封装器件中芯片翘曲的概率，并提高扇出型封装器件的散热性能。
本发明授权扇出型封装器件在权利要求书中公布了：1.一种扇出型封装器件，其特征在于，包括： 第一芯片，包括相背设置的功能面和非功能面、以及位于所述功能面和所述非功能面之间的侧面； 多个阻挡件，围设在所述第一芯片的侧面外围，所述多个阻挡件间隔设置； 胶层，覆盖所述阻挡件和所述第一芯片的至少部分侧面外围，多个所述阻挡件用于限制所述胶层移动； 第一散热片，至少部分位于所述非功能面一侧，且所述非功能面和所述多个阻挡件在所述第一散热片上的正投影位于所述第一散热片内； 多个导电柱，位于所述第一散热片设置有所述第一芯片一侧，且围设在所述多个阻挡件的外围，且所述导电柱的高度大于所述阻挡件的高度； 第一电连接体，层叠设置于所述功能面一侧； 所述第一散热片包括底板以及自所述底板延伸的多个侧板；其中，所述底板在所述第一电连接体上的正投影覆盖所述第一芯片和所述阻挡件，所述侧板穿设在所述阻挡件和所述导电柱之间的间隙并与所述第一电连接体固定，且所述导电柱与所述侧板之间无接触。
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