通富微电子股份有限公司陶玉娟获国家专利权
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龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利扇出型封装器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114530426B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111671820.X,技术领域涉及:H01L23/31;该发明授权扇出型封装器件是由陶玉娟设计研发完成,并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本扇出型封装器件在说明书摘要公布了:本申请公开了一种扇出型封装器件,该器件包括:第一芯片;多个阻挡件,围设在所述第一芯片的外围;多个导电柱,围设在所述多个阻挡件的外围;其中,所述导电柱的高度大于所述阻挡件的高度;塑封层,至少覆盖所述第一芯片、所述阻挡件和所述导电柱的侧面外围,所述第一芯片、所述阻挡件和所述导电柱通过所述塑封层形成整体结构。通过上述器件,本申请能够降低扇出型封装器件中芯片的翘曲概率。
本发明授权扇出型封装器件在权利要求书中公布了:1.一种扇出型封装器件,其特征在于,包括: 第一芯片; 多个阻挡件,围设在所述第一芯片的外围; 多个导电柱,围设在所述多个阻挡件的外围;其中,所述导电柱的高度大于所述阻挡件的高度; 塑封层,至少覆盖所述第一芯片、所述阻挡件和所述导电柱的侧面外围,所述第一芯片、所述阻挡件和所述导电柱通过所述塑封层形成整体结构; 其中,所述阻挡件具有导电性能,且所述阻挡件和所述导电柱由同种材料形成; 其中,所述第一芯片包括相背设置的第一功能面和第一非功能面,所述导电柱、所述阻挡件和所述塑封层与所述第一非功能面齐平设置,所述第一功能面位于所述塑封层内;所述扇出型封装器件还包括:至少一个第二芯片,包括相背设置的第二功能面和第二非功能面;所述第二功能面朝向所述第一功能面,所述第二功能面横跨所述第一功能面的至少部分、以及与所述第一功能面的至少部分邻近的至少部分所述阻挡件,且所述第二功能面上的第二焊盘与对应位置处的所述第一功能面上的第一焊盘和所述阻挡件电连接; 其中,所述的扇出型封装器件,还包括:第一再布线层,位于所述塑封层邻近所述第一非功能面一侧表面;其中,所述第一再布线层至少与所述第一芯片和所述导电柱的一端电连接;第二再布线层,位于所述塑封层邻近所述第一功能面一侧表面;其中,所述第二再布线层与所述导电柱的另一端电连接。
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