北海惠科半导体科技有限公司史仁先获国家专利权
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龙图腾网获悉北海惠科半导体科技有限公司申请的专利半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111652858.2，技术领域涉及：H01L21/225；该发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件是由史仁先;王国峰设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。该半导体器件的制备方法包括：在衬底表面形成外延层，在外延层背离衬底的一侧形成第一氧化层；在外延层内形成掺杂区；在高温炉内进行预扩散，预扩散温度为950℃‑1050℃；通过漂酸的方式对部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除；在高温炉内进行再扩散，再扩散温度为800℃‑900℃，在第一氧化层背离衬底的一侧形成牺牲层；通过漂酸的方式对牺牲层、部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除。本申请通过在低温条件下生长出比较疏松的牺牲层并去除牺牲层及部分第一氧化层，使得生产的半导体器件具有较小的漏电特性。
本发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底表面形成外延层，在外延层背离衬底的一侧形成第一氧化层； 在外延层内形成掺杂区； 在高温炉内进行预扩散，预扩散温度为950℃-1050℃； 通过漂酸的方式对部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除； 在高温炉内进行再扩散，再扩散温度为800℃-900℃，再扩散时间为20min-40min，在第一氧化层背离衬底的一侧形成牺牲层； 通过漂酸的方式对牺牲层、部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除； 在所述高温炉内进行再扩散，再扩散温度为800℃-900℃的步骤中，还包括：向高温炉内通入氢气和氧气，氢气的流量和氧气的流量之比为1.5-1.8。
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