上海新微技术研发中心有限公司刘涛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利减少立体图形光刻失真的光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116360207B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111613795.X，技术领域涉及：G03F1/46；该发明授权减少立体图形光刻失真的光刻方法是由刘涛;王诗男;龚燕飞;邰立;吴俊设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本减少立体图形光刻失真的光刻方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种减少立体图形光刻失真的光刻方法，包括：1提供一基底，基底的表面具有凹台结构；2于基底表面、凹台结构的侧壁和底部形成光刻胶层；3提供一光掩模，光掩模包括透光基底和掩膜图形层，在掩膜图形层上形成抗反射层；4基于光掩模对光刻胶层进行曝光处理，掩膜图形层至少遮挡凹台结构底部的部分光刻胶层，且至少显露凹台结构侧壁的部分光刻胶层；5对光刻胶层进行显影处理。本发明可以有效解决立体图形在接触式曝光时光掩膜界面反射光的问题，从而使得光刻图形得到保真。
本发明授权减少立体图形光刻失真的光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种减少立体图形光刻失真的光刻方法，其特征在于，所述光刻方法包括： 1提供一基底，所述基底的表面具有凹台结构，所述凹台结构的侧壁与所述凹台结构的底部之间的夹角为钝角，所述钝角的角度为95～150度； 2于所述基底表面、所述凹台结构的侧壁和底部形成光刻胶层； 3提供一光掩模，所述光掩模包括透光基底和掩膜图形层，在所述掩膜图形层上形成抗反射层； 4基于所述光掩模对所述光刻胶层进行曝光处理，所述掩膜图形层至少遮挡所述凹台结构底部的部分光刻胶层，且至少显露所述凹台结构侧壁的部分光刻胶层； 5对所述光刻胶层进行显影处理。
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