长鑫存储技术有限公司王顺获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利套刻误差补偿方法及系统、计算机可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116224718B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111511510.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻误差补偿方法及系统、计算机可读存储介质是由王顺;张君君设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻误差补偿方法及系统、计算机可读存储介质在说明书摘要公布了：本申请实施例公开一种套刻误差补偿方法及系统、存储介质。套刻误差补偿方法，包括提供N个晶圆组，N个晶圆组中的每一晶圆组包括M个晶圆，M个晶圆中的每个晶圆包括当层和前层；其中，N和M均为大于等于2的正整数；根据当层和前层的器件结构确定每个晶圆的第一套刻误差，并根据第一套刻误差计算每个晶圆的光刻补偿值；根据光刻补偿值计算每一晶圆组的第一平均补偿值；根据第一平均补偿值计算N个晶圆组的第二平均补偿值；若第二平均补偿值在预设范围内，则将第二平均补偿值反馈至批次控制系统，以对第N+1个晶圆组进行补偿。
本发明授权套刻误差补偿方法及系统、计算机可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种套刻误差补偿方法，其特征在于，包括： 提供N个晶圆组，所述N个晶圆组中的每一晶圆组包括M个晶圆，所述M个晶圆中的每个晶圆包括当层和前层；其中，N和M均为大于等于2的正整数； 根据所述当层和所述前层的器件结构确定所述每个晶圆的第一套刻误差，并根据所述第一套刻误差计算所述每个晶圆的光刻补偿值； 根据所述光刻补偿值计算所述每一晶圆组的第一平均补偿值； 根据所述第一平均补偿值计算所述N个晶圆组的第二平均补偿值； 若所述第二平均补偿值在预设范围内，则将所述第二平均补偿值反馈至批次控制系统，以对第N+1个晶圆组进行补偿。
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