长鑫存储技术有限公司夏军获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096071B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111298101.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由夏军;白世杰设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构的制备方法包括：在具有阵列区域和外围区域的基底上形成叠层结构；在所述叠层结构上形成第一掩膜层；其中，对应于所述阵列区域的所述第一掩膜层具有第一图案；对所述阵列区域上的第一掩膜层进行离子掺杂，得到掺杂后的第一掩膜层；通过所述掺杂后的第一掩膜层刻蚀所述叠层结构，以将所述第一图案转移至所述叠层结构中。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 在具有阵列区域和外围区域的基底上形成叠层结构； 在所述叠层结构上形成第一掩膜层；其中，对应于所述阵列区域的所述第一掩膜层具有第一图案，所述第一图案为电容孔图案，且所述基底中形成有与所述电容孔图案相对应的接触结构； 对所述阵列区域上的第一掩膜层进行离子掺杂，得到掺杂后的第一掩膜层； 通过所述掺杂后的第一掩膜层刻蚀所述叠层结构，以将所述第一图案转移至所述叠层结构中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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