中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈术获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115993753B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111216495.8,技术领域涉及:G03F1/36;该发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质是由陈术;严中稳设计研发完成,并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在说明书摘要公布了:一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质,修正方法包括:提供设计版图,包括多个设计图形;获取对应设计版图的网格状的初始边界线,初始边界线经过设计图形,且初始边界线与经过的设计图形具有至少两个第一交点;在初始边界线上获取分割点,分割点位于初始边界线经过的设计图形的两侧、并与经过的设计图形的第一交点具有预设距离,位于相邻分割点之间、且经过设计图形的初始边界线作为第一边界线,剩余初始边界线作为第二边界线;在设计图形外侧形成第三边界线,第三边界线通过分割点与第二边界线交替首尾相接,第三边界线和第二边界线构成目标边界线。本发明有利于减少设计图形因被分割而产生跳变现象的概率。
本发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括: 提供设计版图,所述设计版图包括多个设计图形; 获取对应所述设计版图的网格状的初始边界线,所述网格状的初始边界线经过所述设计图形,且所述初始边界线与经过的所述设计图形具有至少两个第一交点; 在所述初始边界线上获取分割点,所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离,位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线,剩余初始边界线作为第二边界线; 在所述设计图形外侧形成第三边界线,所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接,所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线,所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域。
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