旺宏电子股份有限公司胡志玮获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利三维AND快闪存储器元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115835635B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111156151.2，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维AND快闪存储器元件及其制造方法是由胡志玮;叶腾豪;吕函庭设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维AND快闪存储器元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：叠层结构，位于介电基底上，其中所述叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层；多个分隔物，将所述叠层结构分隔成多个子区块，所述多个分隔物包括：多个叠层墙，包括彼此交替叠层的多个分隔层与所述多个绝缘层，其中所述多个分隔层埋在所述多个栅极层中；多个分隔狭缝，与所述多个叠层墙彼此交替，其中每一分隔狭缝延伸穿过所述叠层结构；多个通道柱，延伸穿过每一子区块的所述叠层结构；多个源极柱与多个漏极柱，位于所述多个通道柱内；以及多个电荷储存结构，位于所述多个栅极层与所述通道柱之间。
本发明授权三维AND快闪存储器元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维AND快闪存储器元件，包括： 叠层结构，位于介电基底上，其中所述叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层； 多个分隔物，将所述叠层结构分隔成多个子区块，所述多个分隔物包括： 多个叠层墙，包括彼此交替叠层的多个分隔层与所述多个绝缘层，其中所述多个分隔层埋在所述多个栅极层中； 多个分隔狭缝，与所述多个叠层墙彼此交替，其中每一分隔狭缝延伸穿过所述叠层结构的所述多个栅极层与所述多个绝缘层； 多个通道柱，延伸穿过每一子区块的所述叠层结构； 多个源极柱与多个漏极柱，位于所述多个通道柱内，且与所述多个通道柱电性连接；以及 多个电荷储存结构，位于所述多个栅极层与所述通道柱之间。
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