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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种闪存单元结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115942745B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111139233.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种闪存单元结构及其制作方法是由高箐遥;黄仁瑞;贺腾飞;朱文明设计研发完成，并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种闪存单元结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种闪存单元结构及其制作方法，该闪存单元结构包括衬底、隔离层、栅介质层、第一浮栅导电层、第二浮栅导电层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一源极线、第二源极线及字线层，其中，隔离层的底部嵌于衬底中，且隔离层的顶面高于衬底的顶面，栅介质层位于衬底的上表面，第一、第二浮栅导电层位于栅介质层上并分布于所述隔离层的相对两侧，且分别与隔离层的两侧壁接触，第一、第二源极线位于衬底中并分布于隔离层的相对两侧，且分别与隔离层的两侧壁接触，字线层包括至少两条字线。本发明利用隔离层将公共源极线隔成两个独立的源极线，并利用不同字线分别控制隔离层两侧的浮置栅极以提高空间利用率，实现了闪存单元结构尺寸的微缩。

本发明授权一种闪存单元结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存单元结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，自下而上依次形成栅介质层、浮栅导电层及第一掩膜层于所述衬底上； 形成隔离沟槽，所述隔离沟槽在垂直方向上贯穿所述第一掩膜层、所述浮栅导电层及所述栅介质层，并延伸进所述衬底中； 形成隔离层于所述隔离沟槽中，并形成第一开口及第二开口于所述第一掩膜层中，所述第一开口与所述第二开口位于所述隔离层的相对两侧并暴露出所述隔离层的侧壁； 形成第一绝缘层于所述第一开口的底部，形成第二绝缘层于所述第二开口的底部； 去除所述第一掩膜层，并去除所述浮栅导电层未被所述第一绝缘层及所述第二绝缘层遮挡的部分以得到位于所述隔离层相对两侧的第一浮栅导电层与第二浮栅导电层； 形成覆盖所述第一绝缘层、所述第二绝缘层及所述隔离层的字线导电层，并图案化所述字线导电层以得到至少两条字线； 形成第一源极线与第二源极线于所述衬底中，所述第一源极线与所述第二源极线位于所述隔离层的相对两侧并与所述隔离层的侧壁接触。

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