长鑫存储技术有限公司卢经文获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件、电子设备及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110934847.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件、电子设备及制备方法是由卢经文设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、电子设备及制备方法在说明书摘要公布了：本公开公开了一种半导体器件、电子设备及制备方法，通过在半导体衬底上先形成字线沟槽，之后在字线沟槽中形成字线结构，之后再形成有源区。这样可以使字线沟槽穿过半导体衬底，而不需要使字线沟槽穿过其他材料。由于半导体衬底的材料均一，从而不存在刻蚀选择比的问题，进而使形成的字线沟槽的底面可以平整。在字线沟槽中形成字线结构时，可以使字线结构与半导体衬底直接接触，而不需要使字线结构与其他材料进行接触，从而可以使字线结构的底面可以平整，进而提高半导体器件的性能和可靠性。
本发明授权半导体器件、电子设备及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 在半导体衬底上形成多个字线沟槽；其中，所述字线沟槽沿第一方向延伸； 在各所述字线沟槽内形成字线结构；其中，所述字线结构的顶面和所述半导体衬底的顶面齐平； 在所述半导体衬底的顶面上形成多个有源区掩膜结构；其中，所述有源区掩膜结构在所述半导体衬底中界定出有源区，且所述有源区掩膜结构在所述半导体衬底的底面的正投影沿第二方向延伸且穿过所述字线结构在所述半导体衬底的底面的正投影； 以所述有源区掩膜结构为刻蚀掩膜，对所述字线结构和所述半导体衬底进行刻蚀，形成有源区和穿过所述有源区的埋入式字线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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