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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体元件及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171590B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110835837.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体元件及半导体装置是由岩鍜治阳子;末代知子;系数裕子;河村圭子;布施香织;罇贵子设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体元件及半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供能够减小开关损耗的半导体元件以及使用了该半导体元件的半导体装置。实施方式的半导体元件具备半导体部、设置在半导体部的表面上的第1电极、设置在半导体部的背面上的第2电极、在半导体部的背面上与第2电极分离设置的第3电极、以及设置在半导体部与第1电极之间的控制电极。半导体部包括第1导电型的第1层、第2导电型的第2层、第1导电型的第3层和第2导电型的第4层。第2层设置在第1层与第1电极之间，隔着第1绝缘膜与控制电极相对。第3层被选择性地设置在第2层与第1电极之间，与第1电极电连接。第4层设置在第2电极与第1层之间，与第2电极电连接。第1层在半导体部的背面与第3电极连接。

本发明授权半导体元件及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其中，具备： 半导体部； 第1电极，设置在所述半导体部的表面上； 第2电极，设置在所述半导体部的背面上； 第3电极，在所述半导体部的背面上与所述第2电极分离设置；以及 第1控制电极，设置在所述半导体部与所述第1电极之间，与所述半导体部通过第1绝缘膜电绝缘，与所述第1电极通过第2绝缘膜电绝缘， 所述半导体部包括第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、所述第1导电型的第3半导体层以及所述第2导电型的第4半导体层， 所述第1半导体层在所述第1电极与所述第2电极之间以及所述第1电极与所述第3电极之间延伸， 所述第2半导体层设置在所述第1半导体层与所述第1电极之间，隔着所述第1绝缘膜而与所述控制电极相对， 所述第3半导体层被选择性地设置在所述第2半导体层与所述第1电极之间，与所述第1绝缘膜相接，与所述第1电极电连接， 所述第4半导体层设置在所述第2电极与所述第1半导体层之间，与所述第2电极直接接触且电连接， 所述第1半导体层在所述半导体部的所述背面与所述第3电极电连接。

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