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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利读出电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565569B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110751252.8，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权读出电路结构是由池性洙;金书延;张凤琴设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本读出电路结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种读出电路结构，设置在存储阵列的间隙中，包括：结构层、在结构层顶部堆叠设置的第一互连层和第二互连层；结构层中设置有第一感测放大结构、第二感测放大结构和均衡结构；其中，第一位线或第一互补位线的其中一者设置在第一互连层中，另一者的至少部分设置在第二互连层中；第二位线或第二互补位线的其中一者设置在第一互连层中，另一者的至少部分设置在第二互连层中；均衡结构直接连接第一互补位线和第二位线；其中，均衡结构设置在第一感测放大器结构和第二感测放大器结构之间，且与第一互补位线和第二位线在第一互连层中直接连接，既解决了预充电速度慢的问题，又减小读出电路结构的版图面积。

本发明授权读出电路结构在权利要求书中公布了：1.一种读出电路结构，设置在相邻存储阵列的间隙中，其特征在于，包括： 结构层、在所述结构层顶部堆叠设置的第一互连层和第二互连层； 所述结构层中设置有第一感测放大结构、第二感测放大结构和均衡结构； 所述第一感测放大结构通过第一位线连接相邻存储阵列中的一存储阵列，所述第一感测放大结构通过第一互补位线连接相邻存储阵列中的另一存储阵列，所述第二感测放大结构通过第二位线连接相邻存储阵列中的一存储阵列，所述第二感测放大结构通过第二互补位线连接相邻存储阵列中的另一存储阵列； 其中，所述第一位线或所述第一互补位线的其中一者设置在所述第一互连层中，另一者的至少部分设置在所述第二互连层中；所述第二位线或所述第二互补位线的其中一者设置在所述第一互连层中，另一者的至少部分设置在所述第二互连层中； 所述均衡结构直接连接所述第一互补位线和所述第二位线，用于为所述第一位线、所述第一互补位线、所述第一感测放大结构、所述第二位线、所述第二互补位线和所述第二感测放大结构预充电； 其中，所述均衡结构设置在所述第一感测放大器结构和所述第二感测放大器结构之间，且与所述第一互补位线和所述第二位线在所述第一互连层中直接连接。

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