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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115568211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110753761.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由吴公一;王晓玲设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底；在基底上形成多个初始有源柱；在初始有源柱之间形成栅极层；在栅极层和初始有源柱上形成第一介质层；在第一介质层内形成多个开口；通过开口去除部分初始有源柱以形成有源柱；去除部分栅极层以形成隔离沟槽和字线，使位于同一行上相邻两个有源柱位于隔离沟槽的两侧。本公开通过使同一行中相邻的两个有源柱分隔在隔离结构的两侧，增加了相邻字线上位于同一列的两个有源柱之间的间距，降低了相邻字线之间的信号干扰，提高了半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成多个初始有源柱，多个所述初始有源柱呈阵列排布； 在所述初始有源柱之间形成栅极层，所述栅极层与所述初始有源柱的侧壁相连； 在所述栅极层和所述初始有源柱上形成第一介质层； 在所述第一介质层内形成沿所述初始有源柱行排列方向延伸的开口，所述开口在所述基底上的投影与同一行上所述初始有源柱在所述基底上的投影部分重合，且同一行上相邻两个所述初始有源柱在所述基底上的投影与所述开口在所述基底上的投影未重合的部分分别位于所述开口的两侧； 去除暴露在所述开口内的初始有源柱以形成有源柱；以及去除暴露在所述开口内的所述栅极层以形成隔离沟槽和字线，其中，位于同一行上相邻两个所述有源柱位于所述隔离沟槽的两侧； 所述提供基底的步骤之后，在所述基底上形成多个所述初始有源柱的步骤之前，所述制备方法还包括： 在所述基底内形成多条位线结构，多条所述位线结构在所述基底上沿所述有源柱的行方向间隔排布，其中，所述位线结构包括位线以及设置在所述位线上的位线接触部，所述位线接触部的顶面与所述基底的顶面平齐； 所述在所述基底上形成多个初始有源柱的步骤中，包括： 在所述基底上依次形成层叠设置的第二介质层和第一掩膜层； 去除部分所述第一掩膜层和部分所述第二介质层，以形成多个间隔设置的第二凹槽，每个所述第二凹槽暴露出所述位线结构的顶面； 在所述第二凹槽内形成初始有源柱，所述初始有源柱包括沟道区以及分别设置在所述沟道区两端的源极和漏极。

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