中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张田田获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513173B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110699495.1，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由张田田;张浩;荆学珍;郭雯;于海龙设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括基底和位于基底上的器件结构；位于衬底上的第一介质层，所述第一介质层内具有若干第一开口，所述第一开口暴露出部分所述器件结构表面；位于第一开口内的导电结构，所述导电结构包括位于第一开口侧壁表面和底部表面的阻挡层和位于阻挡层表面的导电层，所述导电结构与所述器件结构电连接；位于第一介质层和导电结构上的停止层；位于停止层上的第二介质层；位于第二介质层内和停止层内的第二开口，所述第二开口暴露出所述导电层顶部表面以及部分所述阻挡层侧壁表面；位于暴露出的阻挡层表面的增强层；位于第二开口内的电连接层。所述半导体结构的性能得到提升。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底和位于基底上的器件结构； 位于衬底上的第一介质层，所述第一介质层内具有若干第一开口，所述第一开口暴露出部分所述器件结构表面； 位于第一开口内的导电结构，所述导电结构包括位于第一开口侧壁表面和底部表面的阻挡层和位于阻挡层表面的导电层，所述导电结构与所述器件结构电连接； 位于第一介质层上的停止层； 位于停止层上的第二介质层； 位于第二介质层内和停止层内的第二开口，所述第二开口暴露出所述导电层顶部表面以及部分所述阻挡层侧壁表面，所述第二开口底部表面低于所述阻挡层顶部表面，所述导电层顶部表面低于所述阻挡层顶部表面； 位于暴露出的阻挡层表面的增强层； 位于第二开口内的电连接层，所述电连接层位于导电层表面和增强层表面。
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