株式会社日立高新技术吉田雄祐获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利真空处理装置和真空处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851391B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110688902.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权真空处理装置和真空处理方法是由吉田雄祐;中元茂;福地功祐;朝仓凉次设计研发完成，并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本真空处理装置和真空处理方法在说明书摘要公布了：一种真空处理装置，包括：处理单元，包括：设置在真空容器中的处理室；检测器，使用来自晶片的光在处理晶片期间检测晶片上的对象膜的厚度或终点，该检测器通过将预先获得的数据模式与真实数据模式进行比较来检测厚度或终点，预先获得的数据模式指示与膜厚度相关的多个波长的光强度并使用波长作为参数，真实数据模式指示在处理期间在特定时间获得的所述多个波长的光强度，并且数据模式是通过将所述多个波长的光强度的时间序列数据的微分系数值除以指示所述多个波长的光强度值的时间序列数据而获得的。
本发明授权真空处理装置和真空处理方法在权利要求书中公布了：1.一种真空处理装置，包括： 处理单元，包括： 处理室，设置在真空容器中，并且其中形成有等离子体； 样品台，设置在所述处理室中形成了所述等离子体的空间的下方，并且所述样品台的上表面上安装有具有处理对象膜的晶片； 光接收单元，设置在所述处理室上方，并且被配置为在使用所述等离子体处理所述晶片期间接收来自所述晶片的光；以及 检测器，连接到所述光接收单元，并且被配置为检测所述处理期间所述处理对象膜的厚度或所述处理的终点的到达，其中， 所述检测器被配置为：通过将标准模式与真实模式进行比较来检测所述处理对象膜的厚度，在所述标准模式中，将预先获得的相对于所述处理对象膜的厚度变化的、与多个波长的光的强度相关的预定值的波长用作参数，所述真实模式是在所述处理期间在特定时间获得的与所述多个波长的光的强度相关的预定值的真实模式，以及 通过将所述多个波长的光的强度的时间序列数据的微分系数值除以指示所述多个波长的光的强度值的时间序列数据，来获得与光的强度相关的预定值。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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