日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113506789B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110660671.0，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：基板和重布线层，基板和重布线层通过导通线路电连接；电容器，电连接至导通线路。在本公开提供的半导体封装装置及其制造方法中，通过在基板和重布线层之间的线路中设置电容器，利用该电容器作为去耦元件，能够消除基板线路和重布线层线路之间的耦合现象，进而消除因耦合造成的信号噪声，避免基板线路和重布线线路在高频时相互干扰，有利于提高半导体封装装置中信号传输的品质，从而提高电子设备的性能。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括： 第一线路层； 第二线路层，与所述第一线路层通过导通线路电连接； 电容器，电连接至所述导通线路，所述电容器包括至少两个导电层和至少一个突起结构，相邻的所述导电层之间设置有绝缘层； 其中，所述至少两个导电层包括至少两个第一导电层和至少两个第二导电层，所述至少两个第一导电层相互电连接，所述至少两个第二导电层相互电连接； 所述电容器的表面设置有介电材，所述介电材上设置有第一导电孔和第二导电孔； 每个所述第一导电孔的第一端与所述第一导电层电连接，各所述第一导电孔的第二端位于同一水平面并相互电连接； 每个所述第二导电孔的第一端与所述第二导电层电连接，各所述第二导电孔的第二端位于同一水平面并相互电连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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